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20nm英特尔NAND闪存将在今年发布

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2012-02-07

20nm英特尔NAND闪存将在今年发布

在英特尔公司520系列SSD的发布会上我们得到了下一代英特尔闪存技术更新的消息,公司目前已经和另一个内存巨头美光合资建立了闪存生产企业,今年开始将大规模生产20纳米工艺的NAND芯片,这意味着密度最大的单颗128GB容量在组成SSD后将可以突破1TB的容量。

目前尚不清楚英特尔是否将自己开发控制器技术,之前他们都是采用来自第三方的技术,但这推高了成本降低了竞争力,如果能自主生产控制器,那么英特尔的产能和技术都会让其在SSD市场占得优势。