金士顿、新帝NAND Flash掀价格战

金士顿、新帝NAND Flash掀价格战　市占争夺提前开打
 

存储器模块大厂金士顿日前引爆NAND Flash产品降价战火，传新帝(SanDisk)近期的价格操盘策略也非常积极，NAND Flash领域价格战不只在上游原厂之间开打，下游模块厂战况也非常的激烈，NAND Flash控制芯片战场也硝烟四起。市场认为，Q1 NAND Flash价格有压力，但目前终端需求并不差，杀价来冲销量效果明显，各厂对市占率的抢夺也非常积极。
2012年NAND Flash市场相当热闹，抢市占率之战分别在上游NAND Flash芯片供应商、控制芯片业者、下游存储器模块厂3方蔓延开来，这现象背后代表各厂都订立2012年是冲刺营收年，但获利空间恐被压缩的情况。
金士顿2012年启动首波降价潮，尤其针对新兴市场等区域，杀价取量且扩充市占率的意图明显，也间接活络整个NAND Flash市场，让原本在农历年后需求平淡的买气注入活力。
模块同业则表示，不只金士顿启动降价战，新帝近期不论是在快闪记忆卡、优盘等市场上，价格都一直都十分犀利，紧跟对手价格，目前新帝在全球快闪记忆卡市占率约40%，颇有提防对手市占率追赶上来的防备心。
NAND Flash上游供应商方面，2011年各厂积极扩产，但受到全球景气前景混沌影响，日前陆续传出减缓扩产进度，但以三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)以及海力士(Hynix)和美光(Micron)彼此间的市占相当接近来看，市占率保卫战也相当激烈。
NAND Flash控制芯片方面，2012年开春也弥漫在一片价格战氛围，其中以USB 3.0控制芯片市场竞争最激烈，因为各家供应商新款芯片都将陆续问世，大家都想抢下前3大门票，届时价格战恐难免，且群联已表示将率先转进55纳米制程，可祭出相当犀利的价格。
eMMC控制芯片上，2012年加入战局的供应商将倍增，但eMMC产品技术仍处于练兵阶段，要看各厂技术和后勤支持强度，否则仅能固守大陆山寨市场，系统品牌业者的订单仍掌握在NAND Flash供应商手中。
据统计，2011年第4季NAND Flash市场平均售价(ASP)下跌约13%，位元出货量小幅成长约5%，全球单季营收减少约8.6%至48.88万美元，以全球排名来看，三星上季市占率34.6%，东芝29.7%紧追在后，海力士和美光分别为13.7%和13.3%相当接近，英特尔(Intel)的市占率则是8.8%。以2011全年来看，2011年全球NAND Flash品牌供应商营收规模约203.78亿美元，各厂排名为三星市占率37.3%蝉联龙头、东芝30.8% 排名第2、海力士12.3%稳坐第3、美光则以11.8%小输海力士排名第4，英特尔全年市占率则为7.7%，排名第5。
目前全球5家NAND Flash供应商中，三星从2011年开始获得不少智能型手机及平板计算机客户的内嵌式存储器产品OEM订单，借以弥补快闪记忆卡和优盘需求的下滑，预计2012年三星在内嵌式存储器领域的竞争力仍最强，包括eMMC和固态硬盘(SSD)，且2012年21纳米制程比重会大幅提升，估计第1季位元出货量可成长10%。
东芝对于智能型手机及平板计算机客户的订单也积极布局，2012年第1季19纳米制程比重也将大幅提升，强化成本竞争力；再者，海力士则是朝20纳米制程发展，估计第1季在系统客户的订单挹注下，位元出货量可达5%。
而被海力士夺回第3名宝座的美光，2012年策略同样也是侧重在SSD、智能型手机、平板计算机应用等产品线，不论是内嵌式规格存储器或是自有品牌零售市场的产品，美光目前的完整度算高，美光与技术合作伙伴英特尔在2012年第1季都也会提升20纳米制程比重。