需求下降 去年DRAM厂黯淡度日

价格下滑、需求下降 去年DRAM厂黯淡度日

由于制程落后南韩逾一个世代，加上日本311地震及泰国水患冲击， 2011年台湾DRAM产业表现惨澹，2012年前景也不明， 但台湾政府与DRAM业者，依旧积极寻求产业生存之道。

2010年全球DRAM产业在PC需求旺盛下，市场呈现一片光明。根据iSuppli报告显示，“2010年全球DRAM产业呈现喷井式的成长，DRAM产业成长率超过40.4％以上”。然而，时序来到2011年，由于智慧型手机与平板电脑等手持装置热销，压缩PC市场销售量，使得DRAM需求量大幅下降、价格也快速下滑，致使2011年DRAM产业陷入一片阴霾。

标准DRAM 呈现供过于求

研究调查机构表示,2011年是DRAM产业充满不确定性因素的一年，天灾频传，陆续造成DRAM供给与需求的冲击；PC产业受到平板电脑崛起所造成的生态变化，也对DRAM的消耗量产生重大影响。主要在于消费者追求轻薄硬体需求，使记忆体需求大幅趋缓，造成了下半年供过于求的严峻态势。“在诸多负面因下，2011年DRAM合约颗粒价格跌幅达58％，现货价格跌幅更高达70％，”，2011年DRAM 2Gb合约颗粒价格，自5月高点2.13美元下跌至年末的0.88美元，跌幅达58％，现货市场价格更从年初2.32美元下滑至0.7美元，跌幅高达70％，颗粒价格直逼2008年金融风暴低点。 工研院IEK资深产业分析师彭国柱指出，DRAM价格大幅下滑，除受到2011年下半年全球经济转弱，资讯产品市场需求不如预期外，国际大厂如三星加速导入先进制程技术，新增的产量也冲击到DRAM价格。由于DRAM颗粒价格跌幅过大，甚至跌破现金成本，因此，DRAM厂陆续宣布减产。全球DRAM产业已自2008年全盛时期单月投片150万片，下修到2012年最低单月的100万片左右，投片减幅达33％。 从2011年下半年开始，DRAM厂商月投片数量已经从2011年年初的高点130万片，下修至约103万片，减幅约21％，2011年12月的投片更逼近2009年金融风暴时期的投片最低点98.6万片，其中，又以台系DRAM厂减幅最高，从2011年的高点45万片，至12月仅剩25万投片，减幅达44％。尽管各厂商陆续减产，但是在三星等大厂持续导入先进制程而增加产量下，预估2012年上半年标准型DRAM仍然会有供过于求的现象，超过比率达15％。

韩制程技术 领先一个世代

三星电子得以在DRAM产业独占鳌头，制程大幅领先竞争对手是关键因素。彭国柱分析，早在2005年三星在DRAM市场的占有率就突破30％，尽管2007年第1季落入低点的25.2％，但仍居全球首位，再加上三星于2006年第2季积极拉抬12寸晶圆厂产能的策略发酵，以及后来持续导入领先竞争对手的制程技术后，市占率不断提升，截至2011年第2季已经达到41.8％。反观台湾DRAM产业12寸晶圆厂，2007年到2008年第3季还表现大幅度拉升态势，不过，从2008年第4季开始，则持续呈现缩减的态势，竞争力节节败退。彭国柱指出，光是南韩三星单一厂商，在12寸晶圆厂产能，就已与整个台湾DRAM产业相当。 就制程技术发展态势来看，工研院IEK指出，三星在2010年就已跨入4X奈米制程世代，技术远胜过其他对手。目前，三星制程技术更已逐渐跨入2X奈米制程；至于海力士与尔必达都在2011年转进3X奈米。美光科技主要以42奈米制程技术为主，然而42奈米制程颗粒仍属亏损的成本结构，因此，美光若冀望由亏转盈，必须致力转进30奈米，否则与韩系厂约一个世代以上的差距，将会严重影响后续获利表现。而台厂仍停留在4X至5X奈米制程，南科在制程技术仍落后大厂一个世代以上，且出货产品仍集中在PC标准型DRAM上，因此表现不甚理想，相对下，华邦电受惠于已完全退出标准型记忆体市场，专攻于毛利率较高的利基型记忆体，因此表现相对比其他台厂来得好。

救DRAM 台携手英特尔

一直以来，台湾政府透过各种方式，积极挽救不断衰退的台湾DRAM产业，日前政府再出招，藉由工研院出面与国际晶片大厂英特尔（Intel）合作，共同研发新世代记忆体，再将技术移转给台厂，企图在制程技术追上韩厂。据了解，这一项研发合作案为期5年，经济部、工研院与英特尔合资1,500万美元，共同发展先进制程技术。而首要合作专案是开发省电且快速的“新世代记忆体”，应用领域包括超薄型笔记型电脑、平板电脑、智慧型手机等，还包括云端资料中心。 英特尔副总裁暨技术长贾斯汀．瑞特纳（Justin Rattner）指出，未来对记忆体技术的研发重点，已不再关注于如何扩大记忆体储存空间，而是发展出利用堆叠技术，将处理器与记忆体紧密结合，让产品更省电且处理速度更快的技术。目前，工研院在3D IC堆叠技术上已有相当好的发展，可与英特尔相关技术，研发出具备轻薄短小的产品，以满足电子产品方便好携带的趋势。工研院资讯与通讯研究所所长吴诚文表示，一直以来台湾DRAM厂在制程上苦追韩厂，尽管投入大量资本设备支出仍无法赶上，与其苦苦追赶制程技术，不如直接切入下世代记忆体的新技术，才有机会扳回。 他指出，未来发展次世代记忆体技术，也不是在制程上追赶20奈米、10奈米，而是寻找新的记忆体架构，让DRAM或FLASH等记忆体，能更严密的与微处理器结合，才有机会胜出市场，也就是台厂将从现在的制程追赶，转而寻求架构上的领先。针对这项合作，工研院认为，未来包括DRAM厂、IC设计厂或是晶圆制造厂，都一同进入这个计画，如此才能在各方面及早投入、快速验证，节省各个环节的时间，才能提高合作效益。

DRAM市场 走入寡占型态

“展望DRAM未来走势，受到行动手持产品崛起的冲击，PC年出货高成长时代已成历史，过多的DRAM产能势必要完全退出，且调高行动式记忆体的产出比例，才是获利唯一途径。”目前的DRAM产业仍属于完全竞争市场，由于记忆体特有的获利模式，是以产能及技术转进压制单颗颗粒成本，一旦市场需求成长趋缓，供过于求态势便无法逆转。 因此，未来整个市场唯有走向寡占市场，才能转亏为盈，而要形成寡占市场的首要条件，就是产业必须经历一番整并或厂商退出市场。也就是说，在达到寡占市场前，市场对整并或退出的臆测将不会停歇。若是整并有成，在寡占市场的态势下，DRAM的获利仍是可以预期，能够存活下来的厂商将能够分食甜美的果实，产业永续经营的长期目标便不再遥不可及。 总之，走过2011年DRAM产业整体发展一片低迷后，2012年全球DRAM产业在超薄笔记型电脑（Ultrabook）兴起与Windows 8即将上市的机会下，在标准型记忆体方面，仍有商机存在。不过，由于台厂在标准型DRAM技术远落后国际大厂的情况下，未来究竟是要固守标准型DRAM城池，或是转进需求量即将爆发的NAND Flash或其他次世代记忆体，已经是台湾DRAM厂商不得不尽快做的决定。