华邦：两大利空因素渐除，Q2营运回温

华邦电：两大利空因素渐除，Q2营运可望回温

华邦电(2344)总经理詹东义表示，受到市场供过于求与客户库存调节冲击，去年第四季产品价格跌价惨烈，12月更是见到不合理的杀价竞争，不过所幸进入今年1月之后，市场已经逐渐回归理性，价格颇有落底的迹象，加上利空因素之一的硬碟供应链情况也将于第二季恢复正常，均将有助于营运表现回稳。

詹东义表示，观察各产品线的价格已经有落底的迹象，跌幅转趋缓和，不然再往下跌的话，将严重冲击产业；对于华邦电而言，则是积极透过制程微缩来降低成本，去年第四季，NOR Flash已导入58奈米并开始大量投片，与其他竞争者多以90奈米制程为主流相较之下，具有成本优势。

詹东义也强调，公司已经在Serial Flash站稳领先地位，今年将持续扩大市占率，将聚焦于小尺寸封装产品，增加网通应用及手持装置应用，另一方面，Parellel Flash布局上也有所进展，对于营收贡献度将增温，整体而言，预估今年NOR Flash产品线占营收比重将以超过40%为目标。

另外，华邦电今年下半年将开始试产46奈米储存型快闪记忆体(NAND Flash)产品，该技术为自行开发完成，今年底至明年第一季左右推出新产品，将锁定通讯、消费性电子与车用市场，并以低容量的SLC NAND Flash为主，不与全球前三大NAND Flash厂商正面竞争。

在Mobile RAM行动记忆体的部分，詹东义表示，公司主要产品以Pseudo RAM为主，今年将往更高密度的产品发展，同时强化中密度Low Power DRAM产品线于PC周边设备及手持装置应用。

在Specialty DRAM方面，詹东义表示，HDD产业链预计在第二季逐渐恢复正常，而华邦将持续改善Specialty DRAM产品组合以及降低成本，预计今年所有DRAM产品都将转进46奈米。

展望今年，詹东义指出，华邦将持续聚焦于全方位中低密度记忆体之解决方案，加速制程转换，推出多元性产品组合，至于资本支出规画为33亿元，主要用来进行制程微缩与增加Flash的产能，而透过制程微缩，每片晶圆产出量至少可以增加50%以上，有利持续降低成本，整体月产能则维持3.5万片的水准。