专利屏障减弱　台厂NAND产品线加速布局

专利屏障减弱　台厂NAND产品线加速布局 

近期台厂开始加速布局NAND产品线，主要是由于东芝等国际存储器大厂许多NAND Flash关键专利将陆续期满，此时台厂力晶、华邦、旺宏在NAND Flash领域加快布局脚步，专利屏障减弱，有助于台厂在NAND Flash领域进一步的发展。
台存储器厂针对NAND Flash领域即将展开绝地大反攻，据报道指出，旺宏NAND Flash产品即将开始步入量产阶段，力晶也进入了40纳米制程世代，华邦电今年下半年将开始试产46奈米储存型闪存(NAND Flash)产品，该技术为自行开发完成，今年底至明年第一季左右推出新产品。
PC市场需求疲软让DRAM价格一路下滑，2012年NAND Flash市场发展空间较大，台系存储器厂纷全力投入资源在NAND Flash技术，不论是力晶从瑞萨(Renesa s)手中承接技术，或是华邦、旺宏等走自己研发之路，其实真正困难点不在NAND Flash技术，而是国际大厂专利网太坚固，这才是台厂多年来始终无法突破关键。
一直以来专利屏障让台厂难有代工机会，近几年NAND Flash大厂充分运用封闭市场策略，藉著技术和专利屏障，且为不破坏NAND Flash市场高利润，更让台厂无法进一步扩大NAND产品线。目前来看，东芝、三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)等NAND Flash大厂，手上最强专利主要是MLC及TLC等主流产品，且多是用在固态硬盘(SSD)、快闪记忆卡、优盘应用，SLC芯片则被业界视为非主流产品，容量不如主流SSD动辄有128GB或256GB，然很多消费性电子及通讯产品如高阶电视、机上盒(STB)等，对于SLC芯片需求量仍大，相当具成长空间。
如果专利屏障不在那么牢不可破，未来在芯片设计上只要绕道或避开部分设计，就可成功抵御国际大厂专利网，现在东芝手上很多关键主流NAND Flash专利自2011年起已陆续到期，刚好给予台系存储器厂很好的切入时间点，借机一一突破防线，预计会对NAND Flash市场产生质变。
目前台厂借着NAND大厂NAND Flash专利自2011年起陆续到期的空窗期，大举进攻NAND Flash市场，现在力晶40纳米制程16Gb产品即将问世，目标2012年底转进28纳米制程，华邦电今年将于第4季开始试产46奈米储存型闪存(NAND Flash)产品，该技术为自行开发完成，从制程技术、芯片设计、产品规画都一手包办，今年底至明年第一季左右推出新产品，将锁定通讯、消费性电子与车用市场，并以低容量的SLC NAND Flash为主，不与全球前三大NAND Flash厂商正面竞争，在SSD布局方面暂时没有新的计划，会朝利基型和中低阶芯片应用发展。
至于旺宏投入NAND Flash领域亦有多年之久，市场策略朝消费性电子和通讯领域布局，预期旺宏和华邦电在既有客户基础下，将在NAND Flash领域领另开一片天地。