旺宏、华邦电同步抢进低容量NAND市场

旺宏、华邦电同步抢进NAND 专攻低容量市场 

台湾NOR Flash大厂旺宏(2337)、华邦电(2344)不约而同在法说会上宣布推出储存型闪存(NAND Flash)，双方均专攻SLC NAND 低容量市场，积极开辟新的战线。
原本长期缺席NAND Flash领域的台厂，接连在华邦电、旺宏都宣布2012年NAND Flash研发成果有重大突破后，市场一下子热络起来。
旺宏与华邦电的NAND Flash产品线策略和市场布局非常相似，都是从NOR Flash跨入NAND Flash领域，也几乎都是因应既有客户的要求去开拓此产品线，投资研发都有两年之久，旺宏的首发产品是512Mb和1Gb的SLC型NAND Flash芯片，即将加入旺宏一系列存储器家族中，除现有的序列式快闪存储器(Serial Flash)和并列式快闪存储器(Parallel Flash)产品外，也加快NAND Flash产品线的布局。
对于上游NAND厂来说，三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)主流高容量NAND Flash市场，朝消费性电子如机上盒、电视、数码相机、用户端设备(CPE)、高阶网通、工业计算机、工业设备系统和汽车应用等领域发展，同时竞逐先进制程，也在多位MLC或TLC高容量市场打得火热。
此时大厂无暇顾及低容量市场的同时，台系厂商趁势崛起，除了力晶(5346)早已宣布将往NAND Flash市场靠拢之外，旺宏、华邦电也已经准备好进入NAND Flash市场，避开与大厂正面竞争。
卢志远表示，自行研发的NAND Flash芯片是以存Code为主，而不是主流产品存大影像档案，比较象是NOR Flash生意的延伸，这些领域需要的NAND Flash芯片容量可能只有1Gb~2Gb，但东芝等大厂都陆续退出这些特殊规格领域，追逐高容量的NAND Flash产品如16Gb、32Gb等，因此台厂趁此机会卡位。旺宏发表推出自有技术开发512MB与1Gb SLC NAND Flash系列产品，提供完整的Flash的解决方案，以使用于机顶盒、数字相机、电视、网通、工业、车规以其他等应用领域。
旺宏指出，目前512Mb 和1Gb SLC NAND Flash已经开始送样，预计第一季试产，而制程技术则采用较成熟的75奈米floating gate，可生产高质量的 SLC NAND，能满足高阶嵌入式应用市场对高质量及高可靠性的需求。
华邦电宣布今年下半年将开始试产46奈米NAND Flash产品，该技术为自行开发完成，今年底至明年第一季左右推出新产品，将锁定通讯、消费性电子与车用市场，并以低容量的SLC (Single-Level Cell)NAND Flash为主，不与全球NAND Flash大厂正面竞争。
卢志远和和华邦电总经理詹东义也不约而同表示，台系NOR Flash大厂把这样的良性竞争延伸到NAND Flash市场，是很好激励彼此的模式，且市场够大可一起冲刺营收，也不会被国际NAND Flash大厂干扰。