韩国学者呛声　忆阻器理论之战再起

韩国学者呛声　忆阻器理论之战再起

学术论文线上资料库网站 arXiv.org 上有关忆阻器(memristor)的论战仍持续上演；最近韩国国立全北大学(Chonbuk National University)电子工程系教授 Hyongsuk Kim 与两位共同研究员，在该网站上发表了一篇论文，试图表明经挤压的磁滞曲线(pinched hysteresis loop)，可视为忆阻元件的“指纹”。
Kim的论文直接杠上了稍早之前由美国维吉尼亚州阿灵顿研究人员Blaise Mouttet所发表的一篇论文；后者的论文内容是指出，在1971年首创忆阻器这个名词之电路学者、柏克莱大学教授Leon Chua的理论有误(参考：忆阻器理论有误?　美科学家发起挑战)。Kim与共同作者就以批评Moutter做为论文开头，并试图以详细的数学方法来指出Moutter之错误，以及Chua的理论是站得住脚的。

忆阻器被用来形容数种仍在研发阶段、或是可能已经提出专利申请案的双端(two-terminal)非挥发性记忆体元件，但是在与其商业化相关的磁滞曲线数学理论上却显然会引发学术争议。当初Chua是用忆阻器来形容继电阻、电容与电感之后的第四个基本双端被动电路元件；然后惠普(HP)拿忆阻器这个词命名其在2008年前后着手开发的金属氧化物RAM技术。

Mouttet先前曾指称，HP实验室开发中的记忆体元件并不是忆阻器，只是一种分类更广泛的可变电阻系统。而目前市面上或是开发中的非挥发性记忆体元件包括RRAM (ReRAM)、相变化记忆体(PCM)/相变化RAM (PCRAM)、导电桥接RAM (CBRAM)、FRAM以及使用有机材料制作的铁电极化记忆体(ferroelectric polarization memories)。

arXiv.org 这个论文发表系统是在网际网路通讯兴起初期诞生，宗旨是将学术论文的预印版本组织起来，并透过电子邮件发表；因此该论文发表平台并没有同侪审查(peer-reviewed)制度。不过据了解，该网站平台还是有专人负责进行论文的分类。