Panasonic传已研发出快20倍的ReRAM

Panasonic传已研发出处理速度达快闪记忆体20倍的ReRAM

日经新闻22日报导，Panasonic已研发出一款处理速度(资料写入速度)可达NAND型快闪记忆体(Flash Memory)20倍的次世代记忆体“ReRAM(可变电阻式记忆体)”，且藉由对半导体回路及构造进行改良后，其记忆容量也获得大幅提升；ReRAM为一种即便关掉电源数据资料也不会消失的记忆体。报导指出，Panasonic计划将此次所新研发的ReRAM搭载于需要处理大量情报的智慧型手机或平板电脑上，并计划于今后2-3年内将其实用化(量产)。

报导指出，上述新研发的ReRAM产品因可藉由现有的半导体制程进行生产，故预估其生产成本将同于NAND Flash。据报导，Panasonic原先就计划于今(2012)年内领先全球率先量产ReRAM，而Panasonic此次新研发的产品的处理速度则又较量产版产品提高了1倍(Panasonic即将于今年量产的ReRAM产品的处理速度达NAND Flash的10倍)。

日经新闻曾于2010年10月13日报导指出，日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)将与Sharp合作，携手研发情报处理速度及耗电力皆优于现行NAND Flash的新型半导体记忆体“ReRAM”；双方计划于2013年进行送样并利用尔必达生产据点进行量产。

惠普(HP)于2010年8月31日宣布，该公司已经跟南韩记忆体晶片大厂Hynix Semiconductor Inc.签订联合开发协议，双方将携手开发新材料以及制程整合技术，将一种名为忆阻器(memory resistor；简称“memristor”)的新型电路元件商用化为新型非挥发性电阻式随机存取记忆体“ReRAM”。