东芝开始量产19nm 128Gb NAND

东芝开始量产19nm 128Gb NAND Flash 

全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)23日发布新闻稿宣布，已利用19nm制程研发出全球最大容量128Gb的3-bit-per-cell NAND Flash，并已和合作伙伴SanDisk携手于22日(美国当地时间)在美国举行的国际固态电路大会(ISSCC；International Solid-State Circuits Conference)上进行发表。东芝表示，上述128Gb NAND Flash产品已于本(2)月进行量产出货。
东芝表示，此次研发的NAND Flash产品因采用东芝自家研发的高速写入回路设计及空气间隙(air gap)结构，故以3-bit-per-cell的产品来看，其写入速度达全球最快的18MB/s，以128Gb的产品来看，其芯片尺寸(Die size)达全球最小的170mm。东芝并表示，今后将持续推进NAND Flash的大容量化、高性能化，以藉此对大容量USB/记忆卡等储存产品提供最适切的解决方案，持续引领NAND Flash市场。