晟碟与东芝发布128Gbit NAND闪存

晟碟与东芝发布128Gbit NAND闪存

　　美国晟碟与东芝采用19nm工艺的3bit/单元技术制造的128Gbit NAND闪存在“ISSCC 2012”上发布（论文序号：25.8）。这是128Gbit容量闪存在ISSCC上首次亮相。芯片面积为170.6mm2。发布者表示：“利用3bit/单元技术制造的产品比相同技术节点的2bit/单元产品，其制造成本可降低20～30％”。

　　输入输出接口支持400Mbit/秒的切换模式（Toggle Mode）。据称，写入时的数据传输速度为18MB/秒，在3bit/单元中属业界最高水平。发布者表示，“因实现了18MB/秒的写入速度，所以此次的3bit/单元产品可用于采用NAND闪存的多种应用”。Page Size为16KB。电源电压为2.7V～3.6V（输入输出电压为1.8V）。

　　SSD（Solid State Drive）等大容量存储产品，为提高装置水平上的写入性能，需要使更多的NAND闪存芯片同时工作。而在多在有限的空间内封装大量存储器芯片的SSD上，有随超高速写入会导致存储器芯片的温度上升之忧。因意识到了这个问题，故此次在存储器芯片上搭载了数字温度传感器，采取了保证芯片温度不超过工作温度范围的调整措施。存储器控制器会读取温度信息，并根据这些信息来控制对存储器的访问性能。

　　对微细化至19nm的工艺以和3bit/单元技术而言，此前一直在增加的浮游栅间的干扰会成为问题。此次为缓和相邻单元间的干扰，在字线间采用了气隙（Air Gap）。另外，为削减芯片面积对ABL（All Bitline）构成作了改进，同时还调整了电荷泵。

　　据晟碟介绍，3bit/单元的128Gbit产品2011年下半年已开始供货，截至目前已经进入量产阶段。作为该128Gbit芯片的衍生品种，该公司已将3bit/单元的64Gbit产品用于microSD卡。

　　将此次的芯片与晟碟等在上届“ISSCC 2011”上发布的24nm工艺2bit/单元产品（存储器容量为64Gbit）相比较，可以看出产品有了稳步切实的进步：ISSCC 2011上发布的24nm工艺2bit/单元产品，其芯片面积为151mm2，写入速度为14MB/秒。此时的存储密度约为423Mbit/mm2。而此次3bit/单元产品（128Gbit）的存储密度约为750mm2，比上年提高约77％。