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DRAM产业恐成寡占市场,韩系厂独大

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2012-02-29

DRAM产业恐成寡占市场,韩系厂独大

日系记忆体大厂尔必达 (916665) 惊传申请破产保护,因其市占率居于全球第三、第四之谱,若尔必达真的退出,势将牵动2012年DRAM市场版图,预期DRAM产业恐走入寡占市场,韩系厂商将持续坐大。

尔必达申请破产保护,震惊低迷甚久的DRAM产业,与2007年时奇梦达退出市场情况雷同,破产保护虽与倒闭不同,尔必达仍可继续投片生产,但对于DRAM后市已产生重大影响。


不同于其他核心竞争力较落后的台系厂商,尔必达的制程技术不仅未落后,身兼现货市场的最大颗粒供应商,在该领域有其不可替代的地位。然而,由于尔必达在合约市场的客户结构迟迟未有显著改善下,加上其他产品线不若其他一线大厂齐备,导致在这波DRAM的景气寒冬首当其冲,面临资金短缺的窘境。

从尔必达的财报观察,其负债总额高达55.3亿美元,而一年内即将到期的短债为当今财务危机的爆发点,负债比高达总资产近7成之谱,财务体质早已岌岌可危。虽然先前与日本政府与日系东芝企业的协商不断,也传出与美系大厂美光半导体的沟通密切,策略联盟的高可能性,同时积极向重要策略伙伴以及OEM客户要求预付款,足以显见继续经营的意愿积极,无奈DRAM产业长期以来供过于求的劣势不见改善,尔必达于27日申请破产保护,整个DRAM产业失衡已久才真正是扼杀尔必达生存之路的主因。

从尔必达的技术能力做深入观察,自2012年起主流制程已转进为30奈米,25奈米也以近开发完成阶段,与一线大厂几乎是齐头并进,一直已来都未曾出现显著的落后,对新产品的策略规划(包含4Gb单颗DDR3推出时程、LPDDR2低功耗晶片以及未来封装主流3D-IC)着墨也不遗余力,皆处于产业的领导地位。然而,美中不足之处在于迟迟无法拥有自有的快闪记忆体(NAND Flash)产品线,即便在目前当红的行动式记忆体制程技术同样具备一线大厂的水准,却无法更推进在MCP(Multi-Chip Packaging)领域的市占,对其他寡占市场特质的产品都将无力着墨,只好继续倚赖受景气波动影响甚钜的PC DRAM,避不了大环境的冲击。

以PC DRAM而言,尔必达在4Q11的营收市占有12%,与美光半导体不到0.1%的差距,排名世界第四,其市占的总和超过所有台系记忆厂的加总;以行动式记忆体的营收而言,同期市占高达17%,排名世界第三,尔必达所具备的技术实力与当年破产的奇梦达相较竞争力相对优异,若尔必达经过重整仍无法渡过难关而退出,对后续DRAM产业的产生重大的影响。

自2012年年初以来,4GB的价格已出现止跌回稳迹象,业界共识DRAM价格走势已趋近谷底,平均销售单价(Average Selling Price)会在2012年间逐步复苏。尔必达后续的决定将有牵一发动全身的关键度,无论是处分在广岛厂现有产能,或是对其子公司瑞晶 (4932) 的后续策略,皆是业界需要关注的重点。如果尔必达退出对于现货及合约DRAM价格的影响亦是无庸置疑,加上尔必达的行动式记忆体已是智慧型手机及平板电脑的重要供应商,倘若退出,行动式记忆体市场将仅剩三星及海力士,形成寡占市场,韩系厂商的持续坐大,三星将一举超过市占的50%,对于PC OEM以及手持装置品牌厂的供应链管理都是需要深思的一大隐忧。长期而言,集邦科技先前就预估,DRAM产业走入寡占模式已是不可避免的趋势,尔必达的退出无异加速产业蜕变的过程。