NAND需求夯 东芝传将兴建新厂房扩增产能

NAND Flash需求夯 东芝传将兴建新厂房扩增产能

日本媒体朝日新闻4日报导，因智慧型手机等行动装置日益普及，带动NAND型快闪记忆体(Flash Memory)需求将持续扩大，故全球第2大NAND Flash厂商东芝(Toshiba)计划于今(2012)年夏天动工兴建新厂房，扩增NAND Flash产能，以藉此追击龙头厂三星电子；该座NAND Flash新厂房并预计于2013年量产。据报导，东芝计划兴建的新厂房属于四日市工厂的12吋NAND Flash新厂“Fab 5”的第2期工程；Fab 5为了柔软因应市况需求，故整体兴建工程分为2期，其中第1期工程已于2011年7月完工量产、并于同年8月出货。
 
据报导，四日市工厂由东芝和SanDisk共同营运，而Fab 5总投资额(2期工程合计值)预估将达5,000亿日圆以上。报导指出，东芝2011年度(2011年4月-2012年3月)半导体事业资本支出(设备投资额)预估达1,600亿日圆，2012年度(2012年4月-2013年3月)资本支出预估将高于2011年度水准。
 
南韩媒体《每日经济新闻(Maeil Business Newspaper)》曾于3月22日报导指出，三星NAND Flash新厂将坐落于中国大陆陕西省西安市。三星曾于去年12月6日表示，这座新厂预定在2012年动工兴建，到了2013年便可望投产。Thomson Reuters于4月2日报导指出，三星对上述西安NAND Flash厂的投资额预估将达70亿美元。