新型LDO线性稳压器支援DDR

安森美新型LDO线性稳压器支援DDR存储器

安森美半导体(ON Semiconductor)强化低压降(LDO)线性稳压器产品阵容，以支援双倍数据速率(DDR)记忆体──NCP51200、 NCP51400、 NCP51510和NCP51199采用内建功率MOSFET，针对在电脑、资料网路、工业和手持消费市场等广泛应用中的特定应用如SDRAM DIMM记忆体、伺服器、路由器、智慧手机、平板电脑平台、机上盒、智慧电视、印表机和个人电脑/笔记型电脑主机板。还提供经AEC-Q100认证的版本用于汽车应用如嵌入式GPS定位系统、资讯娱乐和无线网路及蓝牙通信。

这些高性能LDO支援DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 标准，终端电压(VTT)低至500毫伏(mV)。当与DDR4和LPDDR4使用时，每一种的主动源电流和汲电流能力达2安培(A)。此外，当使用DDR4 和LPDDR4时，NCP51145可支援高达1.2 A。NCP/NCV51199可为DDR2和DDR3分别提供2 A和1.5 A源汲电流，而NCP51200和NCP51510指定运行于3 A峰值电流并支援远端感测。

这些高度整合的DDR终端LDO的优势还包括平稳启动、晶载热关闭和(对一些器件) 欠压锁定机制。每款器件都有高速微分放大器，对线性电压和负载电流瞬变提供超快回应。所有这些器件还都相容DDR1 和DDR2 ，易于升级到更新的DDR记忆体。工作温度范围指定为 -40 °C 至 +125 °C，汽车版本可扩展至+150 °C。

扩展了的15个NCP51xxx LDO 方案提供3 种不同的封装，包括8-pin的SOIC-EP、8-pin2x2 mm的DFN、和10-pin3x3 mm的DFN封装。