美光量产16nm 3D Nand Flash

美光量产3D快闪记忆体 力成受惠

美国记忆体大厂美光（Micron）科技昨宣布，推出采用16奈米制程的三阶储存（TLC）NAND快闪记忆体，并预计今年底量产3D NAND快闪记忆体。美光规划在中国西安厂等地进行后段封测，市场预估与美光合作在西安投资封装厂的力成（6239）将接单受惠。

随着韩国三星（Samsung） 、SK海力士（SK Hynix）量产高容量的TLC NAND快闪记忆体与预备年底进入3D NAND量产，美光也跟进，预估USB及消费性固态硬碟等应用功能将提高。美光预估今年市场对TLC的需求会越来越高，10亿位元的NAND快闪记忆体，总出货量将约占快闪记忆体产品市场的一半。

美光科技储存事业部行销总监Kevin Kilbuck表示，该公司快闪记忆体生产基地位于美国与新加坡，新加坡厂将投资40亿美元扩增产能，目前没有计划到中国投资设厂，但后段封测会在西安厂等地进行。

力成去年底与美光签订半导体封装投资合约，力成透过第三地于中国西安设立子公司，初期投资7千万美元，6年总投资共约2.1亿美元，力成设封装厂承接美光的标准型DRAM、Mobile DRAM及NAND快闪记忆体等封装代工业务。目前封装厂兴建中，今年底可望开始量产，明年产能全开。