美光新推16奈米TLC技术NAND

美光新推16奈米TLC技术NAND快闪存储器

美光科技(Micron Technology)的快闪记忆体产品组合又添新成员，为寻求高性能、高可靠性且注重成本的消费性应用提供了量身订制的解决方案。新的三阶储存单元(TLC) NAND，是使用16奈米(nm)制制程技术，能让USB及消费性固态硬碟等应用的各方面功能取得理想平衡。2015年市场对TLC的需求越来越高，光是十亿位元的NAND记忆体，总出货量就约占快闪记忆体产品市场的一半

美光科技的 16nm 制程荣获TechInsights选为“最具创新之记忆体装置暨年度半导体”大奖，此制程是成熟且已通过考验的储存技术，因此是适用于建立可靠的 TLC 设计的优异基础。TLC (三阶储存单元) 技术将三个位元装入每个快闪记忆体资料储存单元中，创造出更优异的成本与尺寸效率。

采用此技术的客户可获得美光科技庞大设计支援团队的鼎力协助，该团队是值得信赖的顾问，可协助顺利取得资格以及最佳的终端解决方案效能。主要快闪记忆体客户及全球合作夥伴已开始将此NAND与他们最新设计整合，以加速其在终端应用市场的采用。

美光科技储存事业部行销总监Kevin Kilbuck表示：“美光科技的 16nm TLC NAND 技术可满足市场对于可靠的高容量储存装置持续上升的需求。我们将 16nm TLC 视为 2015 年消费性应用的最佳解决方案，以持续朝 2016 生产 3D NAND TLC 的方向迈进。”

新的TLC技术增加了美光科技全面的快闪记忆体产品组合，横跨四代制程和多种技术，以确保无论是从消费、行动通讯至企业应用，嵌入式和汽车等产品市场提供集中的解决方案。16nm 128Gb TLC NAND 已开始量产并可立即供货。

美光科技已为多家合作夥伴提供样品，预计可协助业者于今年秋季推出以此技术为基础的消费性 SSD 解决方案。美光科技亦将于上述时间推出自有以 TLC 为基础的用户端 SSD。