Flash价格受压 DRAM价格趋稳
* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2018-05-20
短期Nand Flash价格受压,DRAM价格趋稳
中短期Nand Flash价格继续受压
NAND闪存价格下跌主要是因为供过于求,中短期随着各厂家3D NAND制程的推进,在良率没有达标前,不良品会在要求不高的现货市场抛售,进而造成价格受压;但长期随着3D NAND良率的提升,NAND价格终一路下跌是大趋势。目前主要厂家不同程度地都已进入64层3D NAND时代,而领先的三星下半年会推进到96层。其它厂家也将随后进入96层,到年中也会将3D的比重提高到85%以上。
短评:
随着64层3D Nand Flash大量上市,3D Nand Flash成本效益已经高于原来的MLC,价格下跌刺激需求是大势所趋。所以作为消耗Nand Flash较多的SSD价格下跌也将是大概率事件。一般业内人士普遍预期,第二季度SSD价格大概率继续下跌。
DRAM市场第二季度淡季效应,价格以稳定的盘整为主
尽管第2季度是市场的淡季,且需求低迷,但是DRAM市场总体仍以稳定为主。各大DRAM厂家新的产能持续开出,大约还需要1〜6个月年不等才可达到目标良率规格,也就是说新的产能最终量产要在年底前后,预计DRAM合约价将可望涨到第3季。但是DRAM价格在第3季过后将可望松动,2019年将开始将可能走跌。
短评
当前现货市场DRAM价格高于合约价格,预计现货市场价格将呈现等一等的姿态。第三季度由于是学生购机旺季,这将是将决定需求走向的关键因素,届时需求的高低将会推动价格的升与降。
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