首个QLC NAND SSD 开始出货

美光、英特尔宣布业界

首个QLC NAND SSD 开始出货
 

美光科技（Micron Technology Inc.）、英特尔（Intel Corporation）5 月 21 日宣布，业界首见的 4 bits/cell 3D NAND 技术开始投产、出货。利用通过考验的 64 层结构，新的 4 bits/cell NAND 技术让每颗晶粒的密度达到 1 terabit（Tb），成为世界上密度最高的快闪记忆体。
 
英特尔非挥发性记忆体技术开发副总裁 RV Giridhar 指出，1Tb 4 bits/cell 的商用化是非挥发性记忆体（NVM）历史上一项重大的里程碑。
 
美光 21 日同时宣布，业界首见采用革命性 QLC（四级单元）NAND 技术的 SSD（5210 ION）开始对战略支持合作伙伴和客户出货、预计今年秋季将会扩大供货。美光指出，QLC NAND 较现有 TLC（三级单元）NAND 的位元密度高出 33%。