服务器内存3年内成DRAM主流

服务器内存高成长 3年内成DRAM主流

受惠资料中心持续不断建置，伺服器记忆体近年出货高度成长，成长速度超越DRAM主流的行动记忆体，预期伺服器记忆体可望于3年内跃居市场主流。

万物相连时代来临，大量资料的产生，带动资料中心快速建置，预期未来5至10年资料量将持续倍数成长，对运算处理相关的DRAM，及具资料储存功能的NAND Flash需求将不断增温。包括高频宽、高运算速度或省电与耐用性，都将是未来记忆体发展的重要课题。

 在动态随机存取记忆体(DRAM)方面，资料中心不断建置，驱动近年伺服器记忆体出货大幅攀升，增长速度超越主流的行动记忆体，预期未来2至3年内，伺服器记忆体可望跃居DRAM市场主流。

 至于储存型快闪记忆体(NAND Flash)，随着智慧家庭与自动驾驶等新兴领域不断发展，拥有运算能力的终端产品数量将会提升，并将带动NAND Flash需求持续增加。