96层3D NAND战火急升温

96层3D NAND战火急升温，韩日美厂酝酿对决

包括韩、日、美系记忆体大厂为降低NAND Flash生产成本，提升产品竞争力，近期纷加速更高层堆叠及四阶储存单元(Quadruple Level Cell；QLC)产品开发，其中，三星电子(Samsung Electronics)传出将于2018年抢先量产96层堆垒3D NAND产品并计划扩大64层堆垒3D NAND生产比重，全球记忆体厂全面点燃NAND Flash更高层堆垒及QLC技术战火。

    韩媒ET News引述业界消息指出，全球NAND Flash市场龙头三星2018年计划提升目前64层3D NAND堆垒层数达50%以上，将于华城、平泽半导体工厂量产96层堆垒3D NAND，并计划抢先竞争对手一步，投入128层堆垒3D NAND研发量产。三星相关人士则表示，5代(96层堆积)3D NAND将于2018年量产，至于4代(64层堆垒)产品生产比重亦将扩大。