英特尔美光QLC 3D NAND出货

英特尔/美光联手　首款QLC 3D NAND正式出货

英特尔(Intel)与美光科技(Micron)近日宣布，业界首见的4bits/cell(QLC)3D NAND快闪记忆体已开始投产与出货，QLC NAND技术采用64层堆叠，使每颗晶粒(Die)的储存密度达到1Tb，为目前储存密度最高的快闪记忆体。

英特尔与美光联手投入64层QLC 3D NAND技术开发，该技术采用“CMOS under the array (CuA)”架构，以缩小晶粒尺寸并提高性能。此外，新推出的NAND快闪记忆体，每个晶粒拥有4个储存矩阵(Plane)，是其他竞争产品的两倍，因此能同时写入与读取更多单元，并提供更快的传输速率以及更大的频宽。

英特尔表示，64层QLC 3D NAND技术可在更小的空间内实现更高密度的储存，为读取密集型的云端工作节省大量成本。此外，其也能作为计算相关应用提供成本优化的储存解决方案。

英特尔与美光科技也宣布第三代3D NAND的发展进程。第三代3D NAND将采96层堆叠结构，堆叠层数比第二代3D NAND增加50%，有望达到Gb/mm2的储存密度。

美光科技发展部执行副总裁Scott DeBoer表示，新的QLC NAND技术采用64层结构，使其阵列密度比TLC提高33%，而该公司也将持续研发并推动96层快闪记忆体技术之创新，将资料微缩在更小的空间中，以实现更高的工作负载。