慧荣新PCIe NVMe SSD控制晶片

慧荣推出最新PCIe NVMe SSD控制晶片

慧荣科技最新PCIe NVMe SSD控制晶片，超效能表现引领主流巿场。

全球快闪记忆体控制晶片领导品牌慧荣科技于日前Computex Taipei推出一系列最新款PCIe SSD控制晶片，全系列符合PCIe Gen3 ×4通路NVMe 1.3规范，并以现场实测展现证实其极致效能，为PCIe SSD定义新标准。

慧荣科技以最完整的PCIe NVMe SSD控制晶片解决方案，来满足全方位巿场需求，包括专为超高速Client SSD设计的SM2262EN、为主流SSD市场开发的SM2263EN，以及适用于BGA SSD的SM2263XT DRAM-Less控制晶片。全系列均采用慧荣独有的韧体技术，包括端到端资料路径保护、SRAM ECC、结合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend ECC技术，支援全线最新3D TLC和QLC NAND，提供最完整及最稳定的资料保护，满足储存设备所需的高效稳定的需求。

SM2262EN超高效能SSD控制晶片解决方案，支援PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和8个NAND通道设计。以最新独有的韧体技术，有效提升读写效能，最大循序读取速度高达3.5GB/s，循序写入速度达3.0GB/s，随机读写则高达420K IOPS和420K IOPS。更采用目前最先进的低功耗设计，无论是在待机还是在工作状态下，均展现超低功耗，有效减少30％的功耗，满足专业用户追求超高效能低功耗的严苛要求。

SM2263EN和SM2263XT支援PCIe G3×4通路NVMe 1.3规范和4个NAND通道设计，并提供完整韧体设计，满足主流市场的需求。SM2263XT是一款DRAM-Less SSD控制晶片，支援主机记忆体缓冲区（HMB）架构，有效运用系统缓存区，可提升读写速度，并可封装成适用于Tablet PC 11.5mm x 13mm 的小尺寸BGA SSD；SM2263XT最大循序读取速度达2.4GB/s，最大循序写入速度达1.7GB/s，符合消费性Client SSD的经济效益需求，为主流巿场新标配。