成本原因 三星暂缓扩产DRAM

三星暂缓扩产 南亚科、华邦电下半年旺上旺

　记忆体龙头韩国三星电子传出暂缓DRAM扩产消息。据业界消息，三星因为制程转进1y奈米后无法有效降低单位生产成本，原本第三季于韩国平泽厂（Pyeongtaek）东翼大楼（east wing）2楼扩增每月3万片DRAM产能的计划已暂缓。法人预期下半年进入旺季后，DRAM价格持续看涨到年底，对南亚科（2408）及华邦电（2344）营收及获利成长将有明显助益。

　由于DRAM供给吃紧且价格持续调涨，包括三星、SK海力士、美光等三大厂都面临来自客户要求扩产的强大压力。不过，因为DRAM制程由1x奈米微缩到1y奈米的技术难度高，在无法有效降低单位生产成本情况下，近期业界传出三星暂缓扩产消息。

　DRAM制程由20奈米往1x/1y奈米微缩，不仅新产能的设备投资金额创下新高，但晶圆良率提升脚步颟顸，导致单位成本降幅明显低于预期。外资分析师指出，在晶圆良率同样在85％的假设下，三星1y奈米8Gb DDR4单位成本仅比上一代1x奈米减少约11％，也就是说，将1y奈米DDR4良率低于80％，代表单位成本降幅将低于6％，若晶圆良率低于75％，1y奈米与1x奈米的DDR4成本几乎相同，代表制程微缩失去意义。

　三星今年初释出将在平泽厂2楼扩大DRAM产能计划，包括在西翼楼2楼扩充每月2万片1x奈米产能，在东翼楼2楼每月扩充7万片1y奈米产能，其中东翼楼的产能建置包括第二季扩增4万片，第三季再扩充3万片。但因为1y奈米的微缩难度比预期高，无法有效降低单位生产成本，所以第三季扩增3万片月产能计划已暂缓，要等到良率明显提升后才会重启扩产计划。

　业界认为，龙头大厂三星在DRAM制程微缩至1y奈米时都遇到成本难以有效降低的困难，其它DRAM厂也会遇到相同难题，所以下半年采用1y奈米DRAM新产能将无法大量开出。由于下半年进入DRAM市场旺季，目前包括标准型、伺服器、利基型、行动式、绘图用等不同规格DRAM都供不应求，在此一情况下，下半年DRAM价格应会逐季调涨，指标性的8Gb DDR4现货价目前约9美元，下半年应会涨破10美元大关。

　法人表示，受惠于DRAM强劲需求及价格续涨，南亚科及华邦电下半年营收及获利成长可期。其中，南亚科下半年营收将逐季创历史新高，全年靠本业获利就可赚逾一个股本。华邦电下半年季度营收应可持续改写18年来新高，获利亦将明显优于去年。