美光96层3D NAND 下半年出货

D 堆叠 96 层快闪记忆体和 1y 奈米动态记忆体，均预计于今年下半年量产出货。

各位读者已经可以观察到，SSD 今年开始越来越便宜，记忆体也有望逐步下调。Micron 于近日的线上财务说明会议，表示下一世代 96 层 3D 堆叠 NAND 快闪记忆体将于今年下半年开始量产出货，而 1Y nm DRAM 也会在同期量产出货。

Micron 近期的财报均交出不错的成绩单，但对读者而言，能够出现便宜的产品让消费者选购似乎更为实际一些。近日 Micron 举办 2018 第三季会计年度线上财务说明会议，本季营业额达美金 78 亿元，相比去年同期提升 40％，相较上一季也增长 6％。

除了优异的财报结果之外，该公司第三代 3D 堆叠 64 层 NAND 快闪记忆体，预计将于今年第二季开始量产出货，成本近一步下调。该公司也对第四代 3D 堆叠快闪记忆体产品表示开发进度良好，将继续使用 Replacement Gate 制程和 CMOS under the array 结构。

Micron 手中另一项重要产品 DRAM 动态记忆体，1x（18）奈米制程预计下半年将成为量产主力，1y（14～16）奈米制程也将于下半年量产出货，更进一步的 1Z（12～14）奈米或是 1α 也在开发当中。在中国邀请记忆体生产厂商喝咖啡之后，记忆体售价涨势受到一定程度的压抑，对于终端消费市场而言，只要未来没有什么重大状况（譬如封装测试厂失火之类的），这态势或许会延续到下半年。

美光DRAM/NAND路线图：96层3D快闪记忆体下半年出货，GDDR6在路上
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美光公司昨天发布了2018财务年度Q3财报，营收、净利润分别大涨40%、132%，创造了美光季度营收新高。美光强劲营收的背后是储存晶片价格、产能大涨，64层3D NAND快闪记忆体已经大量出货，下半年还将推出96层堆叠的3D快闪记忆体，记忆体方面1Xnm工艺将在下半年成为主力，1Ynm年内出货，GDDR6显存也完成了验证。

2018年起，虽然NAND快闪记忆体价格在下跌，不过出货量在增加，而且NAND只占美光营收的25%，重点还是DRAM记忆体，占据71%的营收，更重要的是记忆体价格还在稳定上涨，之前的业界消息表示直到2020年记忆体行业的价格都会比较“健康”，不会像NAND快闪记忆体那样大跌。

根据美光的财报资讯，受益于eMMC、eMCP市场，美光高价值行动NAND快闪记忆体营收与前期相比几乎翻倍，其中85%都是TLC快闪记忆体类型，去年同期比例不足1%。此外，来自资料中心市场的记忆体、快闪记忆体营收与去年同期相比增长了87%。

嵌入式市场上，美光已经完成了以64层3D NAND快闪记忆体为基底的microSD卡验证，并设计了低功耗汽车电子DRAM记忆体，完成了1Xnm以及GDDR6显存的验证。

SSD方面，美光已经开始出货64层堆叠的企业级SATA硬碟，并出货了世界首款QLC快闪记忆体的SSD硬碟，核心容量1Tb，堆叠层数64层。

在技术研发方面，美光的96层3D NAND快闪记忆体预计在今年下半年出样，UAA架构的第四代NAND快闪记忆体也正在开发中。

记忆体方面，1Xnm工艺的记忆体颗粒在上半年跨越了产能交叉点，成为主力；而1Ynm工艺的DRAM记忆体颗粒预计会在下半年出样，再下一代的1Znm记忆体晶片已经在开发中。