NAND产能增加恐不利价格走势

NAND产业资本支出持续增加 恐不利价格走势

据调研机构 IC Insights 周二 (10 日) 最新研报指出，受到记忆体市场需求火热、价格上涨的刺激，预计全球主要 NAND 供应商将大幅扩大资本支出，来拉高产能，估计今年的 NAND 记忆体价格将进一步走跌。

美光认为，NAND 记忆体产业为了维持出货成长，每年都将增加 40% 资本支出扩增产能，2015 年资本支出为 90 亿美元，到 2018 年已增加 2 倍达 220 亿美元，之所以有这么庞大的资金成长，是各厂都积极往 3D NAND 方向布局，由于 3D NAND 需要更多的晶圆厂设备与无尘室，造成资本支出金额成长。

全球五大 NAND 记忆体供应商也都声称，相信未来几年内，NAND 出货量每年的成长率平均约为 40%。而如上图所示，去年美光为要支持 NAND 记忆体 40% 的出货量增长，事实上实际资本支是出比所需之资本支出还要超出 27%，而今年预计将会有超过 41% 的额外资本支出，资本支出预算一路扩大。

记忆市场的历史先驱表明，过多资本支出通常会导致产能过剩，以及价格疲软；三星 (005930-KR)、海力士 (000660-KR)、美光、英特尔 (INTC-US)、东芝 (6502-JP)、Western Digital (WDC-US) 和武汉新芯都计划未来几年内大幅提升 3D NAND 记忆体产出数量，其他新的中国厂商也可能会持续进入这个市场。IC Insights 认为，产业各厂高估 3D NAND 市场需求，风险持续不断升温。