全民造芯 大陆力拚记忆体

两岸半导体－全民造芯 陆力拚记忆体

在大陆积极鼓励及推动下，近年大陆涌现一股“全民造芯（晶片）”热潮，特别是今年4月发生美国制裁中兴通讯事件后，更促使大陆加紧脚步，其中记忆体领域可望在今年出现成效。大陆业界甚至乐观估计，5至10年内将改写记忆体市场被国际大厂垄断的局面。

通信产业网报导，统计资料显示，大陆每年晶片的进口额超过两千亿美元，其中，记忆体晶片占比接近50％。2017年，大陆进口记忆体晶片889.21亿美元，较2016年的637.14亿美元大幅增长39.56％。

以智慧型手机为例，其所用的记忆体晶片分为DRAM（动态随机记忆体）和NAND Flash（快闪记忆体）。简单来说，手机业者宣传的4GB记忆体对应的便是DRAM，32GB或64GB对应的是NAND Flash，这两大领域长期被几家国际巨头垄断。

在DRAM市场，三星、海力士、美光的市占率分别为44％、27％、22％，三家合计占比超过90％。在NAND Flash市场，三星、东芝、威腾（WD）、美光、海力士5家业者的市占率合计同样超过90％。

巨头的垄断意味着其对于记忆体晶片的定价拥有发言权。从2016年开始，DRAM的价格多次提高，2017年的价格涨幅更是高达40％。这对利润空间本来就很小的大陆手机品牌厂来说，承受着巨大的压力。

对于技术受制于人的局面，大陆方面正力谋翻盘。目前大陆记忆体产业地图已初步形成，既有投入NAND Flash的长江存储，也有专注于行动式记忆体的合肥长鑫，以及致力于利基型记忆体的福建晋华。各自的产品已进入量产的倒数阶段，试产时间预计在今年下半年，量产时间则可能集中在2019年上半年。

大陆业内人士认为，大陆的记忆体晶片产业正从边缘突破，形成技术优势，从而迈进市场准入门槛，乐观估计，5至10年内将改写记忆体市场被国际大厂垄断的局面。

但也有专家认为，大陆的记忆体产业仍须面对难题。譬如专利问题，目前记忆体产业的专利掌握在国际巨头手中，因此要避开所有现有的专利进行开发，挑战非常大。

中国国家知识产权局研究员王雷表示，即使大陆厂商千辛万苦创新突破完成DRAM技术研发，但很可能还没有运作到量产阶段，就先收到巨头的专利投诉。因此，筑起专利护城河也是陆企进入市场的重要手段。