合肥长鑫DRAM正式投片

合肥长鑫DRAM正式投片 国产存储跨出重要一步

据半导体行业观察报道，国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投片，产品规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储，国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破，为推动存储国产化掀开了重要一页。

动态随机存取存储器(DRAM)因为其应用的广泛性和重要性，是电子产品必不可少的一种重要半导体元件。据IHS Markit数据，2017年全球DRAM市场规模为722亿美元，较2016年增长74%。2020年全球存储器市场规模将达1000亿美元。目前全球存储市场几乎被三星、美光、海力士等五家厂商瓜分，但国内几乎处于空白。

据腾讯科技16日报道，因为涨价的影响，包括DRAM和NAND Flash在内的存储产品在2017年较之2016年的800亿美元暴涨了65%。但进入今年NAND Flash开始走弱，但是DRAM还价格还在持续上扬，据透露，三星的蓄意减产是造成这个结局的一个重要原因。

业内认为，此次合肥长鑫DRAM正式投片，中国企业开始打破垄断，打造自主可控存储芯片，相关公司有望受益国产化进程。亚翔集成(603929-CN)、太极实业(600667-CN)控股子公司十一科技2016年中标合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地项目;兆易创新(603986-CN)与合肥长鑫合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目。