大陆存储器3大阵营纷导入试产

大陆存储器产业明年迈入量产转捩点：3大阵营纷导入试产

2018年下半DRAM市场杂音涌现，第3季需求虽不看淡，但价格涨势已渐疲弱，尤其是大陆存储器厂商相继进入量产的倒数准备，3大存储器阵营纷预计下半年导入试产，2019年将成为大陆存储器产业能否强力突围的关键年，业界认为大陆存储器厂初期虽难大举撼动全球版图，但在大陆保护大旗下，恐将为全球存储器市场价格动荡投下变数。

随着美中贸易战火加剧，以及大陆官方正式启动对三星、美光、SK海力士等存储器大厂的反垄断调查，更挑起大陆内部对于自制芯片的重视，让大陆本土存储器发展更备受期待。

半导体厂商指出，先前大陆存储器产业口号喊得响亮，但资本操作杠杆的意味浓厚，专业经理人虽致力于推动量产，但取得政策补助与圈地盖厂才是关注的重点，使得大陆存储器产业能否发展成形仍有疑虑，但近来美中情势紧张，大陆存储器自主技术发展明确升级至国际产业战争，如期推动产业发展已势在必行。

目前大陆3大存储器阵营分别包括投入NAND Flash市场的长江存储、锁定移动式存储器的合肥长鑫，以及聚焦利基型存储器的福建晋华，近期传出合肥长鑫已投产8Gb LPDDR4芯片，被视为大陆DRAM产业的里程碑，相关信息虽未获得官方确认，但根据合肥长鑫先前规划，2018年底前预计推出8Gb DDR4工程样品，并在2019年上半展开量产。

目前大陆3家存储器厂均以2018年下半试产为目标，且量产时间皆落在2019年上半，因此，2019年量产进度能否顺利推动，将成为大陆存储器产业能否站上世界舞台的转捩点，业界认为大陆发展DRAM技术的挑战性甚高，无论是专利纠纷或国际诉讼将陆续引爆，3D NAND制程则将在2019年挑战64层技术的量产门槛。

存储器厂商评估，紫光集团旗下长江存储的发展情势较为乐观，其已获得首笔逾1万颗的芯片订单，但32层3D NAND Flash量产规模仍有限，单月仅约5,000片，长江存储的研发重点将集中于64层3D NAND Flash，目标2018年底前推出第一个产品样本。

长江存储在64层3D NAND制程开发完成后，可望展开大规模投片计画，预计2020年产能快速推进至单月10万片，未来长江存储旗下3座厂房将可达到单月35万~40万片产能，届时市占率有机会挑战10%。

福建晋华日前与美光专利诉讼取得重大胜诉，但市场传出美光诉讼将获得美国官方的支持，未来恐将进入后台实力较劲的竞赛；而合肥长鑫宣称目标在于19纳米DRAM存储器，初期产品良率目标为不低于10%，意味著从初期试产进入稳定量产还有漫漫长路，加上合肥长鑫发展的DDR4移动式存储器为市场主流，未来恐难逃大厂专利的钳制。

大陆3大存储器厂试量产正紧锣密鼓推动中，2018年下半及2019年将陆续鸣枪起跑，量产初期的规模虽难撼动全球大厂势力，但短期内市场价格混乱恐难避免，但若顺利突围，预期2020~2021年起大陆存储器产业将开始取得全球产业话语权。