西数下半年量产96层3D QLC

西数下半年量产96层3D QLC，单Die容量1.33Tb

7月20日，东芝/西部数据宣布成功开发采用96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），单Die容量最高可达1.33Tb，预计将在2018下半年开始批量出货，并优先用于SanDisk品牌下销售的消费级闪存产品。
QLC制造工艺相比TLC具有更高的要求，TLC需要8种电压范围，而QLC则需要16种电压范围。西部数据硅技术和制造执行副总裁Siva Sivaram表示：“96层QLC是建立在64层QLC的基础上而实现的，得益于西部数据的硅处理、器件工程和系统集成能力，全新的QLC利用16个不同的电压状态来存储数据，是西部数据第二代4bits/cell产品。”

西部数据表示，在96层QLC先进技术的优势下，将满足客户在零售、移动、嵌入式、数据中心/企业等领域的存储需求，预计未来QLC NAND将在这些应用中占据主流地位，犹如当初TLC取代MLC成为主流应用一样。

西部数据96层3D QLC面世，3D NAND技术进入新高度，市场竞争加剧

2018上半年三星、东芝、西部数据、美光、英特尔、SK海力士等纷纷提高64层/72层3D NAND产出量，导致市场由缺货转为供过于求，NAND Flash市场价格持续下滑。为了进一步优化成本，提高在市场上的竞争力，5月份美光和英特尔宣布量产64层3D QLC，7月份三星宣布量产96层3D技术，且单颗Die容量均可达到1Tb，拉开了新一轮技术竞争的序幕。

今日，西部数据和东芝宣布成功开发采用96层BiCS4架构的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），现在已进入送样阶段，预计将在2018下半年量产。西部数据和东芝96层QLC NAND的单Die容量最高可达1.33Tb，是目前业界最高密度的3D NAND。随着3D NAND技术发展进入新的高度，原厂之间的竞争加剧。