东芝96 层BiCS FLASH9月发货

单一封装 16-Die 实现 2.66TB 储存容量
Toshiba 96 层 BiCS FLASH 样品 9 月初发货

Toshiba 在过去几年一直在使用其 BiCS Flash 技术持续取得进步，最新宣布已成功开发了 96-Layer BiCS FLASH 的原型样品，不仅将堆叠层数增加到 96-Layer 制程，而且采用了 4 bit/cell 的 QLC 技术，将单晶片记忆体容量提升到最高水平，最快在 9 月初开始向 SSD 和 SSD 控制器制造商提供样品进行评估，预计于 2019 年开始量产。

Toshiba目前已量产64 层堆叠技术的 3D NAND 产品，最新的96 层 3D QLC NAND Flash与 64 层产品相比，每单位面积的记忆容量扩大至约 1.4 倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每 bit 成本也下滑。QLC 技术的优势在于将每个储存单元的数据位数由每单元 3 位元 (3bit/per cell) 提升至每单元 4 位元(4bit/per cell)，将有助显著地扩展产品的储存容量。

根据 Toshiba 的官方说法，原型 96 层 3D QLC BiCS Flash 在单个晶片中可以达到 1.33 Terabits ( 166GB ) 的最大容量，该产品还在采用单一封装的 16 晶片堆叠式结构中实现了无与伦比的 2.66TB 储存容量。随着 SNS 的普及和物联网的进步，移动终端等产生大量的数据，并预计实时分析及利用该数据的需求将急剧增加，因此，需要速度快于 HDD 且存储容量更大的存储器，而使用 96 层工艺技术的 QLC 产品即是一种解决方案。

Toshiba 的 96 层 3D QLC BiCS Flash 样品将于今年 9 月初开始供应给固态驱动器和控制器制造商，用于评估及开发目的，预计将于 2019 年开始批量生产。