NOR下半年市场回归正常

NOR Flash下半年市场回归正常

记忆体大厂华邦电 (2344-TW) 今 (27) 日召开法说会，华邦电总经理詹东义表示，DRAM 自主研发的第一代 38 奈米技术今年产量将持续增加，25 奈米制程技术将在第 4 季量产，NOR Flash 目前供需健康，预期下半年市场将回复正常，他并强调，近 2 年投入的 350 亿资本支出是为增加产能与进行技术转置，将支撑华邦电到 2020 年前实力与业绩持续成长，“今年、明年、后年情况都不错”。

DRAM 产品部份，詹东义表示，华邦电持续提升制程技术，自主研发的第一代 38 奈米技术今年产量将持续增加，25 奈米制程技术将在第 4 季量产，许多旧的产能会移转至 25 奈米，从第 4 季起的 2 年内都会持续增加，第三代 DRAM 制程技术也在开发中。

詹东义也说，38 奈米技术将是今年重头戏，会持续优化产品组合与客户组成，提升毛利率，且目前某些应用特定客户对华邦电的需求越趋强劲，将是驱动未来 DRAM 业绩主要成长动能。

詹东义强调，华邦电为目前全球第 4 家拥有自己 DRMA 制程开发的企业，扎根阶段已完成，第一世代的 38 奈米技术从无到有，需要较多时间，第二世代 25 奈米将走得更稳，未来新技术节点的时间间隔，也会与其他同业差不多，未来在 DRAM 领域的实力将会越来越强。

Flash 部份，詹东义指出，NOR Flash 去年第 4 季到今年首季，市场库存已消化得差不多，第 2 季起已回温趋于稳健，目前供需健康，虽然厂商产能增加，但需求也同步成长，任何新产能开出，一段时间内就会有效地消化完成，预期下半年 Flash 市场将回复正常。

詹东义并强调，NOR Flash 方面华邦电走自己的路，客户与产品组合均不同，下半年在 Flash 的营运表现不一定会与其他竞业同调。华邦电原为低密度 NOR Flash 最大供应商，经过近 2 年制程转换，中低密度占比已提升，目前低密度占比不到 5 成。

SLC NAND Flash 部份，詹东义表示，市场需求成长快速且相当强劲，营收比重逐季增加，他也重申，华邦电将专心走编码储存，不会做资料储存，因此不会做 3D NAND 产品。

关于扩产产品线，詹东义指出，目前华邦电产品组合中，DRAM 与 Flash 营收占比相近，拥有 2 个同样强劲的产品线，未来路将非常宽广，因此扩产也会同步进行，去年到今年已投入约 350 亿资本支出，就是为了进行技术转置与增加产能，除制程技术大量投资外，各产品线产能都会逐步增加，将支撑华邦电到 2020 年前实力与业绩持续成长，“今年、明年、后年情况都不错”。

近年来华邦产能逐年增加，詹东义表示，华邦电从去年起每半年就增加产能，将从原本的 4.4 万片增加至 4.8 万片，再提升至 5.1 万片，明年初可望进一步增加至 5.4 万片。

针对美中贸易战部分，詹东义表示，对华邦电产品影响看来不多，仍须留意是否会使全球经济动能降低，进而影响产品需求。