磁阻式RAM推进到单芯片1Gb

非易失磁阻式RAM推进到单芯片1Gb：内存/硬盘加速统一

计算机界一直在探索NVRAM（非易失随机存取器），即在保留DRAM速度快、延时低（纳秒级）优势的情况下，做到永固数据。目前基于NAND的SSD是向NVRAM过渡的产物之一，业内还有铁电RAM（FRAM)、磁阻式RAM(MRAM)、电阻式RAM（ReRAM）以及Intel已经商用化的相变RAM（PCRAM）即3D Xpint技术形态。

MRAM近年来受到的关注度很高，Everspin（飞思卡尔子公司）开发完成后（STT-MRAM，自旋力矩转移MRAM），三星、美光、高通、东芝等都在跟进。

MRAM与NAND的主要不同体现在结构原理，前者依赖的是不同的磁性取向来存储信息（诺奖巨磁阻效应），后者则是电荷存储信息，电荷存储的主要问题是需要以较高的电压完成写入，且可靠性随时间逐渐损耗。

对比之下，MRAM不仅可靠性/耐用性大大提升，同时依然可以维持纳秒级的低时延。

据Anandtech报道，Everspin目前生产的MRAM单芯片是256Mb，年底将试样1Gb（128MB），基于GF的22nm FD-SOI工艺。

与此同时，IBM宣布，将在今天开幕的闪存峰会上展示FlashCore系列新品SSD，容量19.2TB，基于3D TLC闪存（64层），主控为FPGA芯片，缓存用的是Everspin的MRAM，大小128MB。

IBM表示，FPGA主控配合传统的DRAM不能提供更好的写入加速，寿命很低，所以选择了Everspin的MRAM。

这款SSD采用U.2接口，支持NVMe规范，可走PCIe 4.0通道。