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SK海力士发布96层4D NAND

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2018-08-08

SK海力士发布4D NAND:96层堆叠512Gb TLC

继三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等宣布96层/QLC新一代技术,SK海力士也宣布推出业界首款4D NAND,采用CTF(Charge Trap Flash,电荷捕获型),存储单元面积更小、速度更快、更耐用(P/E次数多)。与传统架构相比,4D NAND的外围电路(PUC,Peri.Circuits)架构,可缩小芯片面积、缩短处理工时、降低成本。

SK海力士4D NAND初期是96层堆叠的512Gb TLC,I/O接口速度1.2Gbps(ONFi 4.1标准),预计将在今年Q4送样。SK海力士将基于4D NAND推出BGA封装(16mmx20mm)容量高达2TB的SSD,U.2 eSSD容量可达64TB,预计将在2019上半年送样。

此外,SK海力士还将基于V5 4D NAND技术推出QLC,也是采用96层堆叠,单Die容量1Tb,目的在于取代HDD,预计将在2019年下半年送样。

与采用72层堆叠的V4 3D TLC相比,采用96层堆叠的4D NAND面积减小30%、读速提升25%、写速提升30%,此外带宽和功率提升150%,产能提升20%。

SK海力士目前已经开始进行128层堆叠V6 4D闪存的研发,接下来将提高到2xx层,未来可达到500层堆叠。目前,SK海力士的3D NAND是72层堆叠,单die最大512Gb(64GB),96层QLC NAND的单颗die容量提高到1Tb,4D NAND技术的持续发展推动容量的不断升级,未来10年内可望出现10TB的BGA SSD。

SK海力士首款自有品牌企业级产品PE4010 NVMe SSD已于今年6月份出货给微软Azure服务器。2018年Q2这款产品也通过了腾讯的首次验证。