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QLC高容量SSD酝酿大爆发

* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2018-08-10

记忆体大军猛攻QLC NAND,高容量SSD酝酿大爆发

2018年全球NAND Flash价格一路走跌,由于市场需求增长平缓,业者预期下半年将延续跌势,随着国际NAND Flash大厂纷纷加码投资次世代技术堆叠,2019年QLC(Quad-Level Cell)NAND将迈入百家争鸣世代,带动消费性固态硬碟(SSD)容量快速升级至TB等级,加上大陆长江存储发布新一代3D NAND架构Xtacking,试图超车追赶国际大厂,全球NAND Flash产量持续增加,战火愈益激烈,2019年NAND Flash市场恐将大幅震荡。

    美光(Micron)与英特尔(Intel)于5月发布全球首款QLC 3D NAND技术SSD,宣告2018年进入QLC量产元年,目标市场锁定资料中心应用领域。近期三星电子(Samsung Electronics)宣布将针对消费性市场推出QLC SSD产品,采用64层3D NAND堆叠生产,最大容量将达到4TB,后续将再推出企业用QLC SSD。