华邦上季亏转盈 每股纯益0.08元

华邦上季亏转盈 每股纯益0.08元

法说会昨举行 转进0.13微米制程良率偏低 毛利率略降至20% 累计前三季每股净损0.31元

华邦电第三季转亏为盈，税后纯益3.58亿元，每股税后纯益0.08元，累计前三季税后净损13.24亿元，每股净损0.31元。华邦电表示，第三季无法大幅获利，主要是0.13微米制程良率不佳，以及汇兑损失所致。

华邦电昨 (24)日举行法说会，董事长焦佑钧出席，对于华邦电两年来的转型略感满意，他认为明年仍有成长空间。

华邦电财务长郑慧明表示，第三季转进0.13微米，前段制程出现问题，导致投入1万片晶圆，良率偏低，最后都以次级品卖出，影响最终获利，否则毛利率有机会挑战24%。

华邦电第三季毛利率20%，较去年同期衰退1个百分点，营收83.44亿元，较前一季增加34%，较去年度同期成长7 %，每股纯益0.08元。

郑慧明表示，以产业环境面来看，个人电脑第三季的出货量估计较第二季增加13%，由于记忆体产品出货量增加，加上DRAM产品平均售价提升，达到单季转亏为盈的目标。

华邦电预计明年首季量产0.11微米DRAM，明年下半年每月出货将达1.8万片，制程提升有助于降低成本。

以产品线来看，记忆体产品事业群第三季营收较第二季上扬50%，而逻辑产品事业群则上升4%。在DRAM产品部分，第三季生产DDR400占整体DRAM约34%，绩效优于市场的表现。

另外，华邦生产的低耗电、高容量的单晶体类静态随机存取记忆体 (Pseudo SRAM)在手机市场有不错的进展，目前主要以较高阶的64Mb及32Mb产品居多，第三季出货量已达每月5,500片，预计第四季将可达到每月1万片的水准，而以0.13 微米制程产制的128Mb Pseudo SRAM产品第三季开始试产，预计第四季小量出货。

华邦电副总经理徐英士指出，逻辑产品第三季小幅度成长，电脑及周边IC因季节性因素刺激成长26%，主机板用的输出入 (I/O)控制器更破记录，达到四成的全球市占率，LCD驱动IC出货量也增加至每月约150万颗。

徐英士认为，相机型手机控制晶片、LCD驱动IC、玩具消费性IC等产品，第四季出货状况都优于往年，明年将成为华邦整体业绩成长的主要动力。