良率偏低 成本增

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良率偏低 DRAM成本增

全球DRAM厂第四季进行制程转换时期，包括英飞凌、Hynix都传出运转不顺情形，华邦电（2344）、力晶（5346）及南科（2408）等业者，也有部分新制程良率偏低，次级产品流入现货市场，价格有下探风险，第四季OEM高阶DRAM出货增加有限，合约价可望持平。

华邦电财务长郑慧明表示，华邦电第三季进入0.13微米，前段制程就出现问题，一直到制造后期才发现，导致投入1万片晶圆，良率偏低，最后都以次级品卖出，影响最终获利。

力晶12寸晶圆厂转入0.13微米微米，也出现相同状况，日前曾被日本尔必达（Elpida）退货20万颗DDR，近期又传出部分良率不佳的次级产品进入市场。至于南科，第三季也出现被OEM合约客户退回重测，增加测试成本的情形。

力晶表示，DRAM厂转进高阶制程领域，都会碰上制程或是良率瓶颈，届时良率不佳的晶圆，就会以次级品的方式，低价卖给模组厂商。不过力晶认为，小量次级品对于该公司营运成长影响有限。

事实上，华邦电、力晶部分次级品及低良率晶圆，近期成为模组市场的抢手货，分别有三家知名模组商，包销了两大DRAM厂的次级晶圆，并将其销往现货市场，导致9月以来，现货价大跌15%。