DRAM周报:DRAM下月需求仍将走强 造福
DRAM周报:DRAM下月需求仍将走强 造福Hynix | |||
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? | 负债累累的南韩记忆晶片商 Hynix Semiconductor (KR-0066) 今年第 3季终于转亏为盈,第 4季展望亦乐观,可望获得喘息空间。分析师指出,晶片大厂均预期今年第 4季DRAM需求仍将走强,售价也将持稳,对 Hynix相当有利。
分析师指出,如果晶片价格能持稳于目前水平,那么 Hynix的成长力道便可延续至第 4季,这对亟需现金升级技术,以追赶 Samsung Electronics(KR-0593;三星电子)的Hynix而言可谓利多一桩。 周一(27日) DDR-333平均现货价为4.43美元,虽低于 8月份的4.93美元高点,但仍优于10月份低点4.24美元。 分析师指出,中国大陆与美国的DRAM需求已开始增温,PC市场已开始为了感恩节以及圣诞节假期囤积元件;下个月DRAM价格将可望持稳。 一般而言,DRAM售价通常在10月,也就是PC制造商开始为迎接岁末需求做预备时达到颠峰;DRAM需求通常在12月开始走疲,第 1季也是淡季;传统上都是DRAM制造商最为走疲的时后。 然而,Hynix看待明年第1季并没有那么悲观,所持的理由便是中国大陆需求上扬。 对于商品进入美国、欧洲均遭课征惩罚性关税的 Hynix而言,中国大陆需求走强犹如天降甘霖。今年7月美国决定向Hynix商品加征 44.29%惩罚性关税,欧盟亦在8月份跟进,加征税率达34.8%。 Hynix 方面则表示,藉由位于美国的Oregon厂规避罚则,惩罚性关税对该公司业务并无影响。 获利情况转佳,意味着 Hynix将把注意力集中于升级晶片生产技术,该公司表示计画在2004年 4月将生产线升级至较高阶的0.11微米制程技术,进而缩减成本;目前 Hynix多数产能均采0.13微米制程。 LG Investment & Securities分析师Young Park指出,明年Hynix资本支出至少将达1.6兆韩元,因此他们必须出售非记忆体业务以筹集资金。 Hynix 为提高其竞争力,也计画进军快闪记忆体市场,与 STMicroelectronics(IT-STM;FR-STM;意法半导体)建立合作关系, 双方计画联合研发快闪记忆体晶片,并在2004年第 1季开始大量生产。 快闪记忆体主要用于数位相机和 MP3播放机,跟 DRAM比起来较不受价格浮动所影响。 全球晶片龙头Intel(US-INTC;英特尔)和 Samsung 亦对第 4季展望乐观,认为晶片需求将持续走强,连带造福Hynix获利。 Samsung预估今年第 4季DRAM平均售价(ASP)将较第 3 季的6-6.5美元上涨。 |