茂德将进驻中科 建12寸厂
* 来源 : * 作者 : * 发表时间 : 2003-11-26
茂德将进驻中科 建12寸厂
明年首季动工 总投资30亿美元 将导入90奈米堆叠式制程
中国台湾茂德科技 (5387)送件台中科学园区,12寸晶圆厂预计明年首季进驻,总投资额30亿美元,于2005年导入90奈米堆叠式 (Stack)制程技术量产,将带动中部地区周边封测与模组产业。
茂德也不排除引进两大国际半导体厂商,于明年首季合资成立新公司,兴建12寸晶圆厂,其中茂德持股60%,另两家国际大厂分别投资19%及15%。茂德是继力晶 (5346)以来,全球第二家宣布兴建第二座12寸厂的DRAM厂商。
茂德发言人林育中昨天表示,茂德目前手中现金流量仍充裕,第二座12寸晶圆厂初期投资阶段,倾向朝向独资方式。未来有需求的潜在合资厂商,即使初期没参与投资,也可持续向茂德采购DRAM。
茂德第三季毛利率26. 5%,税前盈余8.64亿元,每股税前盈余0.22元,10月单月获利5亿元,全年可望转亏为盈。茂德昨天股价上涨0.35元,收在11.85元。
林育中表示,茂德0.12微米制程已于8寸厂试产,预计年底前量产,12寸厂将于明年第一季导入0.12微米制程,预计单位晶圆产出DRAM将比0.14微米大幅提升三成,且不需要添置193奈米微影设备,符合经济效益。此外,明年下半年将进入0.11微米。
茂德日前向中科提出申请,明 (27)日将交付审议。林育中说,茂德目前建立起代工平台,投产通讯记忆体,预计新厂的定位将不再是DRAM厂,而是多元记忆体制造商。茂德与两大国际半导体大厂合资的新公司,目前尚未命名,预计所需的30亿美元建厂资金,将有半数来自自有资本,其余则采用联贷方式,规划在2005年下半年量产,直接导入90奈米制程。
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