黄崇仁:DRAM业明年首季不看淡

黄崇仁:DRAM业明年首季不看淡

Data Flash供给缺口超过30% 力晶明年获利空间大增

中国台湾力晶半导体 (5346)董事长黄崇仁昨(27)日预估，资料存取型快闪记忆体 (Data Flash)目前供给缺口超过30%，明年力晶以12寸厂、0.13微米投产，1Gb Flash成本降至7美元，获利空间将大增。

力晶昨天举行法说会，对于年底DRAM走势看法保守。不过，黄崇仁表示，明年第一季为日本、欧洲企业会计年度结算，企业采购可望出笼，因此DRAM可能出现淡季不淡情况。

根据集邦科技报价，256M DDR昨天续跌，均价滑落至4美元以下，台厂报价来到3.9美元。根据统计，近两周DRAM跌幅，创下近七个月来新高纪录。

力晶预期，11月营收受到价格下跌冲击，大约较10月小幅滑落5%以内，不过应可超过28亿元。力晶10月营收29.17亿元，居台湾记忆体厂之冠。

黄崇仁表示，力晶与日本瑞萨 (Renesas)签约，以AG-AND技术投产1Gb NAND型Flash，力晶明年中将以12寸厂0.13微米产能投片6,000片，成台湾唯一Flash制造商，两家公司将跃居全球第三大供应商，明年市占率挑战15%。

黄崇仁说，现阶段1G Flash制程成本约当512M DDR，成本约7美元，以目前现货市场每颗38美元报价计算，未来获利空间可观。他说，力晶12寸A厂将逐步转进NAND型Flash领域，未来12寸B厂则专精DRAM制造，8寸厂将全数转为晶圆代工，未来三大营运支柱将使力晶营运不再过分受制景气荣枯。