DRAM价续涨 传华邦电首季可望转盈

DRAM价续涨 传华邦电首季可望转盈 股价涨停锁死

市场传出，记忆体厂华邦电(2344-TW)受惠DRAM价格续涨，加上制程转换顺利降低DRAM平均成长，首季营运可望转盈，激励华邦电今天股价开高并攻上涨停锁死。

市场传出，记忆体厂华邦电(2344-TW)受惠DRAM价格续涨，加上制程转换顺利降低DRAM平均成长，首季营运可望转盈，激励华邦电今天股价开高并攻上涨停锁死。

根据最新DRAM报价显示，2Gb DDR3现货价上周站上1.2美元后续涨，今天早盘2Gb DDR3 1333MHZ涨幅达1.34%，来到1.207美元；1600MHZ涨0.52%，来到1.160美元；256mx 8eTT涨0.67%，来到1.06美元，上涨态势不变。

市场传出，华邦电在去年下半年全面进行完成制程转换后，顺利压低DRAM平均成本，首季可望成功转盈；华邦电指出，公司去年将NOR快闪记忆体主流制程微缩到58奈米，月产能约3-4千片；DRAM及类静态随机存取记忆体制程顺利转进的46奈米，月产能约有8千片；而华邦电去年底买下同业手中的浸润式微影设备，并取得30奈米制程，产能最高达1.2万片，但公司表示现阶段产品尚未出货，不便评论。

华邦电日前公布12月营收为18.45亿元，较上个月约减少14.87%，较去年同期约增加0.78%；整体第4季营收约62.34亿元、季减5.24%，优于市场预期。华邦电产品营收占比DRAM约占55%、Flash约占45%。

华邦电因产品组合调整成功，提升毛利率表现5%，公司先前表示，第4季毛利率还能持续向上；对于首季是否转盈及毛利率表现状况，华邦电财务中心副总温监回应，公司财务尚未结算，因而无从评论。

法人指出，华邦电今年支出较去年26亿元减少，加上全年折旧费用将较去年减少10亿元以上，公司所支付之联贷金额压力减轻，再加上DRAM价格近期续扬，以及华邦电制程微缩顺利完成，降低成本，大幅提升华邦电今年首季转盈机会。