Hynix 发布全球首款 4D NAND Flash

可打造高达 64TB 容量的 U.2 SSD
SK Hynix 发布全球首款 4D NAND Flash 

 
在日前举行的 Flash Memory Summit 峰会上，SK Hynix 公布旗下 NAND Flash 产品的未来发展路线图，新款的 Flash 产品称为“4D NAND”，由 3D NAND Flash 技术演变出来，相比起 3D NAND 能够最大限度地减小占用空间及降低成本。

SK Hynix全新推出的 4D NAND 采用 Charge Trap Flash（CTF）设计，使储存单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）。与传统架构相比，4D NAND 的 PUC（Periphery Under Cell）位于储存单元下方，可缩小晶片的面积、缩短处理工时、降低成本，因此在未来可以制造容量高达 64TB 的 U.2 SSD。

SK Hynix 4D NAND 初期是 96 层堆叠的 512Gb TLC，I/O 接口速度 1.2Gbps（ONFi 4.1标准），预计将在今年 Q4 送样，SK Hynix 将基于 4D NAND 推出BGA 封装（16mmx20mm）容量高达 2TB 的 SSD，U.2 eSSD 容量可达 64TB，预计将在 2019 上半年送样。

性能方面，V5 4D 晶片面积相较于 V4 3D 减小 20%、读速提升30%、写速提升 25%。另外，V5 4D 也规划采用 QLC NAND Flash，通过 96 层堆叠，单Die 最小 1Tb，明年下半年出样。

SK Hynix 亦表示，内部的 4D NAND 已经推进到了 128 层堆叠，很快可以做到单晶片 512GB，2025 年做到单晶片 8TB。目前，SK Hynix 的 3D NAND 是72 层堆叠，单晶片最大 512Gb（64GB），首款企业级产品 PE4010 已于今年 6 月份出货给 Microsoft Azure 伺服器。