DRAM价格Q4恐松动 终结连9季上涨态势
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2018-08-17
正值8月中旬,厂商陆续开始议定第4季价格,原先业界普遍预期价格仍将持平开出,但由于供给持续增加,需求则不见明显回温,因此第4季整体DRAM价格走弱的机会逐渐升高。
以第3季的价格来看,产品属性类似的PC DRAM与伺服器记忆体季涨幅均仅1~2%;行动式记忆体与利基型记忆体价格持平;而绘图用记忆体已经开始跌价。由现货市场来观察,价格从今年年初开始一路下滑,在6月底正式低于合约价,已经预告DRAM整体价格即将走弱的可能性。
展望2019年,在各厂商持续转进1X/1Y制程,以及SK海力士无锡新厂可望开始投片的影响下,供给位元成长将大于需求,预估整体DRAM价格将持续下滑,年衰退幅度约在15-25%。
PC DRAM虽然占总产出的比重低于15%,但由于该产品对供需变化高度敏感,因此扮演所有产品别价格走势的先行指标。虽然第4季各PC OEM厂处于旺季需求,但由于各家库存水位与年初相比持续增加,加上业界对2019年价格走弱似乎已有共识,因此并不急于在此时回补库存。
第4季PC DRAM价格在最乐观的情况下仅可能持平开出,但也可能开始小幅下滑。
至于伺服器记忆体,现阶段由于原厂持续提高伺服器产品比重,伺服器记忆体供给达成率在第3季显著提升,有助于改善供需失衡的状况。然而,第四季实际供需状况仍视中国与北美地区资料中心的需求而定,预期报价将有较高机会持平开出,但也不排除下修的可能。
展望第4季智慧型手机市场需求表现,受惠iPhone新机以及Android阵营旗舰新机的需求带动,预估整季生产数量将较第3季成长5~10%,进而推升对行动式记忆体需求。
供给方面,三星平泽新厂第4季的产能将小幅增加,SK海力士、美光等则受惠于新制程转进以及良率提升等挹注,行动式记忆体市场的供货满足率(Order fulfillment rates)将获得改善,整体供需状况将优于上半年。
预估第四季行动式记忆体合约价格将有机会呈现持平或出现反转,以分离式来说,价格将落在持平到下跌2%的区间;eMCP则因NAND Flash的持续降价,价格将较第3季调降2~5%。
利基型记忆体方面,下半年虽是消费性电子产品传统旺季,但目前终端的拉货需求并未出现明显抬升。以利基型记忆体消耗量第二大的机上盒(Set-top box)来看,上半年需求并不强烈,造成库存水位偏高,连带影响下半年的拉货力道,预估全年销量将小幅下滑。
整体而言,在第3季利基型记忆体合约价格仅持平开出,但现货价已开始下跌的情况下,第4季合约价格反转向下的机会已升高,其中DDR4因与同容量DDR3产品有超过20%的价差,跌幅恐更大。
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