紫光存储快闪记忆体峰会：面向全球发布全线快闪记忆体产品

　　 8月20日下午消息，紫光存储携8个系列的存储产品首次亮相2018年快闪记忆体峰会，向全球快闪记忆体界展示了一个全新的存储公司及产品。

　　FMS（Flash Memory Summit  快闪记忆体峰会）是目前存储行业内国际顶级的峰会，来自全球的优秀快闪记忆体企业每年会汇聚于美国圣克拉拉，针对新技术、新产品进行深入的技术交流。

　　在本次峰会上，紫光存储向全球发布了企业级NVMe产品P8160、P8130、企业级SATA SSD产品S6110、消费类NVMe SSD产品P5120、渠道SATA SSD产品S100、渠道NVMe SSD产品P100、嵌入式产品eMMC、UFS全系产品。全系产品中P8160为高性能低延时产品，面向高端企业级客户；P8130为低功耗产品，面向于存储系统客户；S6110主要面向有低成本系统升级需求的企业级客户；P5120为消费类产品，主要满足笔记本等OEM厂商的应用需求；S100，P100为渠道产品，主要针对个人消费者。嵌入式产品eMMC， UFS应用于手机、平板等产品当中。

　　在本次展会中，紫光存储先后参加了三场技术交流，充分向国际专家、客户与合作伙伴展现了紫光存储在过去一段时间内，在快闪记忆体领域的研发成果。

　　在ChinaSession上，紫光存储做了关于《NAND结构对控制器架构的影响》的技术交流。主要介绍了NAND cell的通道模型特性，以及由此引入杂讯补偿降低cell电压判决的错误率。根据当前NAND不同的PE count，对应地选取不同的page存储有效数据，从而延长NAND的使用寿命。这些从NAND本身的特性引入的使用方式对控制器的结构产生了相应的影响。

　　在NVMe Session上，紫光存储做了关于《多盘聚合扩展NVMe性能》的演讲，详细描述了MDF控制器在RAID 5使用上带来的好处。

　　在FlashControllerSession上，紫光存储做了关于《可编程Flash模拟系统》的演讲，描述了紫光DERA自主设计的可编程的模拟系统，该系统用于控制器功能验证及分析，大大简化了验证的难度。