DRAM明年看跌 三星大砍资本支出调降20% 阻价格下跌

三星电子第3季获利创新高，主要依靠半导体事业拉抬，贡献度超过70%，但因市场预期半导体景气将放缓，三星电子为了阻止记忆晶片价格下跌，将调降明年的扩产计划，预计整体资本支出将减少8%，其中对DRAM的资本支出将大砍20%。

三星电子第3季营业利益增加20%达17.5兆韩元（154亿美元），其中半导体事业营业利益占逾13兆韩元。DRAM价格在2年内大涨逾1倍，是带动三星电子获利猛增的主因。但DRAM价格似乎已经触顶，最快在明年初就会下滑。

根据“日经新闻”访问5位南韩分析师的看法，其中4位认为三星电子会削减明年半导体资本支出，1位则认为会持续增加投资，但增加投资的部分是针对晶圆代工的业务上，对于记忆晶片的投资还是会减少。

NAND快闪记忆体续投资

虽然三星电子针对记忆晶片的整体投资会减少，但在DRAM和NAND快闪记忆体投资仍有所区别。分析师认为，三星电子在DRAM资本支出会减少20%，但在NAND快闪记忆体的投资仍将持续增加，显示对两种产品的策略不同。

在NAND快闪记忆体方面，三星电子要抢市占率，增加资本支出来扩大产能，才能与其他业者竞争。但在DRAM方面，由于三星电子在DRAM的市占率已达45%，居全球之冠，因此无须担心市占率问题。

由于智慧手机成长放缓，数据中心伺服器投资也失去动能，美中贸易战也可能影响需求，加上许多制造商扩大生产，使得DRAM产能大增，预料明年价格将会下跌，促使三星电子要削减DRAM资本支出，以维持高价水准。