英飞凌氮化镓 (GaN) 解决方案进入量产

英飞凌科技今日宣布，其氮化镓（GaN）解决方案CoolGaN 600 V增强型HEMT和 氮化镓驱动IC EiceDRIVER，将在2018年德国慕尼黑电子展现身。
英飞凌氮化镓 (GaN) 解决方案进入量产
英飞凌表示，其产品具备更高功率密度，可实现更加小巧、轻盈的设计，从而降低系统总成本和营运成本，减少资本支出。 随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出，英飞凌是目前市场上唯一一家提供涵盖硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料的全系列功率产品供货商。

CoolGaN 600 V增强型HEMT：

新款 CoolGaN 600 V 增强型 HEMT 采用可靠的常闭概念，已优化实现快速开通和关断。 它们可在开关式电源（SMPS）中实现高能源效率和高功率密度，其优值系数（FOM）在目前市面上所有 600 V 组件中首屈一指。 CoolGaN 开关具极低的栅极电荷及反向导通状态下的优异动态性能，进而大幅提高工作频率，从而透过缩小被动组件的总体尺寸，提高功率密度。 英飞凌 CoolGaN 600 V 增强型HEMT在功率因子校正器（PFC）里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。 相同能效下的功率密度可达到160 W / in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。 在谐振拓扑中，CoolGaN线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一。

CoolGaN 拥有业界领先的可靠性。 品管过程不仅对组件本身，还针对其在应用环境中的性能进行全面测试。 这确保了CoolGaN开关满足甚至超越最高质量标准。

CoolGaN 600 V增强型HEMT提供70 m和190 m的SMD封装，确保优异的散热性能和低寄生效应。 透过推出全系列SMD封装产品，英飞凌支持高频运行的应用，如企业级超大规模数据中心服务器、电信整流器、适配器、充电器、SMPS和无线充电设施等。