内存/闪存产能过剩三巨头明年一齐减产

DRAM 产能过剩拖累产业
三大 DRAM 厂有意减产弥补降价损失
 
DRAM 及 NAND Flash 市场疲软，整体记忆体市场降价的状况将延续至 2019 年上半年，Micron 在日前公布了 2019 财年第一季度财报，虽然业绩持续增长但较上一季度已开始放缓，有见 2019 年 DRAM 及 NAND Flash 的价格下跌难以避免，并将影响来年的业绩，Micron 有意采取减产措施。

Micron CEO Sanjay Mehrotra 在财报电话会议上表示，由于当前记忆体市场产能过剩、库存增加的问题持续，导致价格下跌并且拖累产业，Micron 预测明年 DRAM 晶片产量将成长 15%，低于先前预期的 20%，NAND Flash 晶片产量将成长 35%，同样低于先前预期 35% 至 40% 增长率范围。同时，Micron 预期库存调整需要几季时间，可能要等到明年下半年才能解决库存过高而且供给过剩问题。

为了解决晶片市场需求萎缩导致业绩成长减速的状况，Micron 计划将全年资本支出下修 12.5 亿美元至 95 亿美元，以减少 NAND 和 DRAM 记忆体的产量，除了是配合产业的需求量之外，亦希望将公司的资本支出保持在高位。

除了 Micron 之外，Samsung、SK Hynix 等公司亦计划削减明年的资本支出以减少 NAND Flash、DRAM 的产能，Samsung 还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补储存晶片降价导致的损失。

市调机构 IC Insights 预期，明年整体半导体业资本支出可能较今年减少 12%；其中，Samsung、Intel、SK Hynix、台积电与 Micron 五大厂明年资本支出将减少 14%，其余的半导体厂明年资本支出减少幅度可能较小，将减少约 7%。