爱德万发布用于记忆测试系统STT-MRAM切换电流测量系统

半导体测试设备领导供货商爱德万日前宣布，其与日本东北大学创新整合电子系统中心(CIES)的合作。 本计划由东北大学电机研究所教授远藤哲夫主持，成功地研发出高速、高精确度模块，可以测量磁性随机存取内存(STT-MRAM)中记忆束的切换电流，运作速度为微安培/奈米秒。 由于这项科技的创新，使得观察STT-MRAM记忆单元每分钟通过电流变化成为可能，此外，由于运用新研发技术开发成功的此测试系统，也让STT-MRAM故障分析及STT-MRAM技术实务应用又向前跨出了一大步。 这项测试科技除应用于STT-MRAM系统外，也可用于其他如ReRAM及PCRAM电阻改变类的记忆系统上。

STT-MRAM记忆单元由磁隧结(MTJs)及晶体管组成，记忆单元堆栈排列，形成储存器数组。 一个MTJ就是一个非挥发性记忆元素，运用磁阻效应记录数据。 除了不需搭配备用电源外，STT-MRAM结合了所有高速操作、低电压操作及高重写容差的特色，据说这是其他非挥发性记忆技术所难以达到的境界。 全球各研究机构及公司目前都在进行STT-MRAM的研发。

此项新科技除了能应用在研发，另外用于大量生产、高效率及使用记忆测试系统的绩效评估正确性都非常重要。 然而，目前STT-MRAM的切换是随机的现象，利用电子的量子机械性以及热诱发波动；此外，这些电流非常弱，一般低于100微安培甚至更小，出现的时间也仅仅数奈米秒， 因为即使测量设备可能量测在单一隧结处或单一记忆电池中的磁力切换，但对于多重记忆单元中的储存器数组的测量仍有困难。