三星和SK海力士重金投资研发 投资额创新高

韩联社报导，全球记忆体晶片巨擘三星及SK海力士（SK hynix）去年研发支出创新高，盼在全球晶片市场低迷之际能持盈保泰，守住领先地位并开发新兴技术。

南韩三星电子2日表示，去年研发支出比一年前增加11%至18.7兆韩元（165亿美元），相当于全年销售的7.7%，为2003年以来最高水准。

三星在报告中指出，以先进制程量产划时代的智慧手机快闪记忆体晶片、动态随机存取记忆体（DRAM）及固态硬碟（SSD），为其砸重金研发的成果。

去年三星表示，为了保护公司半导体技术的智慧财产权，去年分别在南韩及美国各取得2,055及6,062项专利。

全球第二大记忆体制造厂SK海力士则表示，去年研发投资年增16.4%至2.9兆韩元，等于已连续三年高于2兆韩元。SK海力士并表示，其研发工作聚焦在DRAM及NAND解决方案以及新产品和新兴技术，以维持成长动能并寻找新商机。SK海力士的报告显示，公司半导体技术截至去年12月已取得12,786项专利。

南韩科技巨擘持续提高投资额，藉此保住市场龙头地位，并拉大与中国新兴晶片制造商的距离；同时在全球晶片价格下跌之际，开发新技术进军半导体以外的市场。