预估DRAM及NAND价格有望在2020年止跌反弹

        需求不振，加上供给过剩双重影响，DRAM与NAND价格持续维持在低点，展望未来，预期需求陆续回温与价格弹性所带动的库存回补动能，可望带动2020年的记忆体价格止跌反弹。　　

从市场面来看，DRAM与NAND目前皆处于供过于求，使得现有记忆体解决方案价格维持在低点。
　　以DRAM来说，价格持续下跌基本上是受到伺服器与智慧型手机的需求下滑，导致消耗量急冻与库存攀高；而NAND则是因为竞争者众多，而陷入市占争夺的状态，且由2D NAND转向不同程度的3D NAND造成供给位元大幅度增长。
　　综合以上所述，2019年的DRAM与NAND价格同时快速滑落，而且NAND的价格正逐渐逼近厂商的现金成本。