中国龙头记忆体厂高调秀技术的盘算

美国总统川普5月初才宣布与中国协商破局，不仅针对中国部分输美商品提高关税至25%，后又对华为展开制裁行动，引发全球主要厂商跟风，市场充满肃杀气氛；就在5月15日，第7届全球半导体联盟记忆体论坛（GSA Memory + Conference）在中国上海浦东文华东方酒店举行，在这个非常时机点，论坛上的一举一动都显得格外敏感。

两年1度的全球记忆体论坛，每年都会邀请与吸引重量级记忆体厂商共襄盛举，今年包括三星、美光（Micron）、东芝、应用材料（Applied Materials）、威腾电子（Western Digital）、瑞萨（Renesas）、群联、长江存储、合肥长鑫等都是演讲或与会嘉宾。《财讯》也前往上海参与这场盛会，直击在中美贸易战急遽升温的氛围中，中国记忆体产业的微妙变化。

今年最大亮点，是中国最大储存型快闪记忆体（NAND Flash）厂商长江存储，与最大动态随机存取记忆体（DRAM）厂商合肥长鑫存储首次出席该场合，并对外揭示技术来源与量产进度。尤其，美中贸易战正打得火热，在业界向来行事相当低调的长江存储与合肥长鑫，这次如此反常的高调举动透露出许多市场讯息。

两大产业龙头反常亮相　3大变化透露中国实力

全球半导体联盟记忆体论坛是国际性的盛会，过去曾在美国、日本、台湾及中国轮流举行，但继两年前在中国举办后，今年是连续第2次移师中国上海举办。全球半导体联盟（GSA）指出，这是因为中国对记忆体产线的投资较高，以及云计算和行动运算系统用户的快速增长，再加上在中国有较多的新进者和新技术转型的厂商，因此决定移师中国。

今年，长江存储执行董事长高启全、合肥长鑫存储董事长暨执行长朱一明，都首次受邀担任全球半导体联盟记忆体论坛会议谘询委员会（Conference Advisory Committee）成员；同时，长江存储共同技术长汤强、朱一明也第1次受邀成为演讲嘉宾，“这代表国际已经认同中国记忆体厂商的地位与重要性！”1位中国记忆体厂商高层解读。

变化1》急起直追　国际地位与能见度大增

过去，无论是长江存储、合肥长鑫存储或福建晋华，身为记忆体产业的后进者，再加上全球主要的核心技术专利都已掌握在三星、SK海力士、美光、东芝、威腾电子、英特尔等韩国、日本、美国大厂手中，因此最被外界用放大镜解读的就是技术来源的合法性，智慧财产权一直是巨大的争议，更是美中贸易战的攻防重点。

尤其，2018年11月1日，美国司法部正式起诉中国国营DRAM厂商—福建晋华积体电路公司、联电，还有福建晋华总裁陈正坤、何建亭及王永明3名台湾人，指控他们涉嫌共谋窃取美光估值高达87.5亿美元的商业机密；美国商务部也以基于国家安全和经济考量，将福建晋华列入出口管制实体名单，禁止美国企业对该公司出售技术或产品，这让中国记忆体产业一度风声鹤唳。

变化2》抢先消毒　拉高分贝公布技术来源

但朱一明这次在论坛中，首次高调对外公布合肥长鑫存储DRAM技术，是来自于已破产的德国DRAM厂奇梦达（Qimonda），以及倒闭并被美光收购的日本DRAM公司尔必达（Elplda Memory）前员工。“长鑫存储通过与奇梦达合作，取得1000多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB（兆位元组）数据，这是公司最初的技术来源之一。”朱一明强调，除了技术来源之外，再透过自主研发，至今长鑫存储已经拥有16000项专利申请，以及累计投产超过15000片的晶圆。

据了解，2017年5月，合肥长鑫存储宣布投资72亿美元，建设3期工程，目前是第1期工程兴建12吋晶圆厂，月产能可达12.5万片晶圆。据悉，合肥长鑫存储也将于今年第4季，正式量产8GB LPDDR4规格的DRAM晶片。

此外，朱一明还罕见地大方公开供应链合作伙伴，包括艾司摩尔（ASML）、科磊（KLA-Tencor）、泛林集团（Lam Research）、东京威力科创（TEL）、应用材料等国际半导体设备与测试仪器大厂，颇有凸显具备量产技术能量和技术正当性的意味。

其实福建晋华事件后，市场便传出，美国司法部与商务部下1个要制裁对象，就是合肥长鑫存储，因此这次朱一明一改往常的低调作风，如此“高调演出”，也不免让外界联想就是为了避免沦为下一个“福建晋华”的防堵措施。朱一明还在演讲最后提到，“公平竞争、透明、伦理及承诺是关键的成功要素，开放全球伙伴关系与投资是必要的。”

同样备受瞩目的，长江存储共同技术长汤强也在演讲中宣布，将在今年8月正式推出新1代3D NAND Flash技术架构Xtacking 2.0技术。

变化3》力拚地位　加快研发与量产进程

2013年，长江存储先后从IBM、中国科学院微电子研究所、清华大学、复旦大学、上海微系统所取得超过1500项专利授权；2015年又与美国NOR Flash大厂飞索半导体（Spansion）技术合作，开发3D NAND Flash，并针对3D NAND Flash研发出Xtacking技术架构，号称可以加快I/O（输入／输出）接口速度、提高储存容量及缩短上市时程。

他也透露，“今年即将推出的新1代Xtacking 2.0技术，届时有望将长江存储的3D NAND Flash提升到1个新高度。”让外界对于Xtacking 2.0技术有高度期待，同时也观察出中国记忆体厂正在加快研发与量产进程。从2017年推出Xtacking技术架构后，短短两年的时间内，长江存储又再推出新1代技术架构Xtacking 2.0。

随着长江存储与合肥长鑫存储产品量产在即，外界也在高度关注2020年后，将对于全球NAND Flash与DRAM产业所带来的冲击。对此群联董事长潘健成观察，“（中国NAND Flash龙头）长江存储是很有实力的公司！”经过3年的技术累积，已经可以开始投产，未来在产业也将会有一席之地。