存储器Q2跌幅未如预期 谷底可能延至Q3

估计第二季记忆体单季跌幅将逼近25%，业者认为，第二季价格落底的看法恐怕需要修正。

 去年下半年全球记忆体产业先从需求降温，再到价格出现快速反转，原本市场业者及市场产业分析机构多看好，今年第二季记忆体的供需及价格可望落底，不过，目前进入第二季尾声，第二季记忆体价格跌幅并未如预期，较第一季明显收敛，业者近期也逐渐修正看法，认为第三季才可能是今年产业谷底。涨了2年 去年Q4反转去年下半年全球记忆体产业先是在供给面上，各大厂扩充产能之后，在预期供给可望扩大，价格出现疲软，第四季传出美中贸易战，进一步对需求形成打击，上涨二年的记忆体报价也正式出现反转。

今年第一季记忆体价格跌幅在25%至30%之间，价格修正又急又重，因此，业者预期第二季伴随产业淡季，并顺势进行通路端库存去化，第三季将由电子旺季带动，出现价格反弹。

估计第二季记忆体单季跌幅将逼近25%，和第一季的跌幅缩减程度并不大，且伺服器记忆体恐面临更大跌价压力，业者认为，第二季价格落底的看法恐怕需要修正。记忆体模组厂威刚董事长陈立白近日也表示，DRAM价格可望领先NAND Flash止跌，目前看来，DRAM第三季仍将续跌，但第四季就可望止跌反弹；而NAND下半年仍将持续下修。

库存去化 延至第3季其余记忆体业者认为，第三季记忆体价格仍无力反弹的原因，就是通路端库存去化的程度低于预期，需要多一季的时间持续库存去化。另外，就是需求面上，受到美中贸易战冲击，下游的需求持续缩手，造成价格持续疲软。陈立白认为，DRAM 7月后虽然还可能持续陷入修正，第三季跌幅也可能上看一成，但预期DRAM下半年价格虽持续修正，但不致再出现大跌，也已离落底已不远，预期在韩厂带头调节产能之下，第四季DRAM价格才可望出现止跌反弹，领先NAND Flash走稳。

全年市况恐仍保守南亚科总经理李培锳先前表示，今年受全球经济放缓、美中贸易纷争等影响，造成电子厂调整全球生产布局，此举影响记忆体的需求，此外，去年以来的处理器短缺情况也影响记忆体出货，李培锳预期，第三季DRAM价格仍有小跌的可能，而DRAM市场在今年全年的市况仍旧保守。